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        HBM3E首曝光,韓國廠商遙遙領(lǐng)先

        已有8579次閱讀2023-05-31標(biāo)簽:

         因?yàn)槿斯ぶ悄艿葢?yīng)用的火熱,市場對HBM的需求水漲船高,但縱觀這個(gè)市場,韓國的兩家存儲(chǔ)巨頭三星和SK海力士正在成為這個(gè)市場唯二贏家。

         

        近日,SK海力士更是帶來了全新的HBM3E產(chǎn)品信息披露。這家制造商在一份關(guān)于驗(yàn)證該公司 1bnm 晶圓廠工藝的說明中首次表示,它正在研究下一代 HBM3E 內(nèi)存,該內(nèi)存將實(shí)現(xiàn)高達(dá) 8 Gbps/pin 的速度,并將在2024首次亮相.

         

        來自 SK Hynix 和其他供應(yīng)商的當(dāng)代 HBM3 內(nèi)存支持高達(dá) 6.4Gbps/pin 的數(shù)據(jù)傳輸速率,因此具有 8 Gbpis/pin 傳輸速率的 HBM3E 將提供比現(xiàn)有存儲(chǔ)設(shè)備 25% 的中等帶寬優(yōu)勢。

         

        將其放在上下文中,使用 1024 位寬內(nèi)存總線的單個(gè) HBM 堆棧,這將為 HBM3E 的已知良好堆棧裸片 (KGSD) 提供大約 1 TB/秒的帶寬,高于HBM3當(dāng)期那的 819.2 GB/秒。其中,現(xiàn)代 HPC 級處理器采用六個(gè)(或更多)堆棧,將為這些高端處理器計(jì)算出數(shù) TB/秒的帶寬。

         

        根據(jù)該公司的說明,SK 海力士打算在未來幾個(gè)月內(nèi)開始對其 HBM3E 內(nèi)存進(jìn)行送樣,并在 2024 年開始量產(chǎn)。內(nèi)存制造商沒有透露太多有關(guān) HBM3E 的細(xì)節(jié)(事實(shí)上,這是第一次公開完全沒有提到它的規(guī)格),所以我們不知道這些設(shè)備是否會(huì)直接兼容現(xiàn)有的 HBM3 控制器和物理接口。

         


         

        假設(shè) SK 海力士的 HBM3E 開發(fā)按計(jì)劃進(jìn)行,該公司應(yīng)該可以輕松地讓客戶排隊(duì)獲得更快的內(nèi)存。特別是隨著用于構(gòu)建 AI 訓(xùn)練和推理系統(tǒng)的 GPU 需求激增,NVIDIA 和其他處理器供應(yīng)商更愿意為他們需要的高級內(nèi)存支付高價(jià),以便在這個(gè)行業(yè)繁榮時(shí)期生產(chǎn)更快的處理器。

         

        SK 海力士將使用其1b納米制造技術(shù)(第 5 代 10 納米級節(jié)點(diǎn))生產(chǎn) HBM3E 內(nèi)存,該技術(shù)目前用于制造 DDR5-6400 內(nèi)存芯片,這些芯片將針對英特爾的下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證。此外,該制造技術(shù)將用于制造兼具高性能和低功耗的LPDDR5T存儲(chǔ)芯片。

         

        韓國雙雄,遙遙領(lǐng)先

         

        據(jù)韓媒businesskorea早前報(bào)道,自今年年初以來,三星電子和 SK 海力士的高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) 訂單一直在激增。與其他 DRAM 相比,HBM 通過垂直連接多個(gè) DRAM 顯著提高了數(shù)據(jù)處理速度。它們與中央處理器(CPU)和圖形處理器(GPU)協(xié)同工作,可以極大地提高服務(wù)器的學(xué)習(xí)和計(jì)算性能。

         

        迄今為止,盡管 HBM 具有出色的性能,但與一般 DRAM 相比,其應(yīng)用較少。這是因?yàn)?HBM 的平均售價(jià) (ASP) 至少是 DRAM 的三倍。HBM 需要復(fù)雜的生產(chǎn)過程和高度先進(jìn)的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴(kuò)展扭轉(zhuǎn)了局面。

         

        全球最大的GPU公司Nvidia一直要求SK海力士提供最新產(chǎn)品HBM3芯片。全球第一的服務(wù)器CPU公司英特爾也在努力銷售搭載SK海力士HBM3的產(chǎn)品。一位業(yè)內(nèi)人士表示,“與最高性能的 DRAM 相比,HBM3 的價(jià)格上漲了 5 倍。”

         

        隨著高性能存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場有望快速增長,三星電子和 SK 海力士之間的產(chǎn)品開發(fā)競爭正在升溫。HBM 市場仍處于初期階段,因?yàn)?HBM 從 2022 年開始認(rèn)真地進(jìn)入 AI 服務(wù)器,但 SK 海力士和三星電子正專注于通過新產(chǎn)品發(fā)布來確保客戶。

         

        SK 海力士在 HBM 市場處于領(lǐng)先地位。它于 2013 年與 AMD 合作開發(fā)了世界上第一個(gè) HBM。這家韓國芯片制造商已發(fā)布了第一代 HBM (HBM)、第二代 HBM (HBM2)、第三代 HBM (HBM2E) 和第四代 HBM (HBM3) 并已獲得 60-70% 的市場份額。

         

        2021 年 2 月,三星電子與 AMD 合作開發(fā)了 HBM-PIM,它將內(nèi)存半導(dǎo)體和 AI 處理器合二為一。當(dāng)在CPU和GPU上安裝HBM-PIM芯片時(shí),可以顯著提高服務(wù)器的計(jì)算速度。SK 海力士還于 2022 年 2 月推出了采用 PIM 技術(shù)的產(chǎn)品解決方案。

         

        中長期,專家預(yù)測,HBM等AI專用DRAM的開發(fā),將給半導(dǎo)體行業(yè)帶來巨大變革。“存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司忙于開發(fā)超微制造工藝的時(shí)代已經(jīng)過去,”韓國半導(dǎo)體行業(yè)的一位官員表示。“高效處理數(shù)據(jù)甚至具備處理數(shù)據(jù)能力的AI半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展將變得如此重要,它將決定芯片制造商的未來。

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