根據(jù)來自臺灣的一份新報告，臺積電 (TSMC) 將于 2025 年開始量產(chǎn)其 2 納米半導體工藝。該時間表與臺積電的時間表相符，其管理層已在分析師會議上多次提供該時間表。此外，這些傳言表明，臺積電還計劃推出名為 N2P 的新 2 納米節(jié)點，該節(jié)點將在 N2 之后的一年內(nèi)投入生產(chǎn)。臺積電尚未確認名為 N2P 的新工藝，但它對其當前的 3 納米半導體技術使用了類似的命名，N3P 是 N3 的增強版，反映了生產(chǎn)工藝的改進。

摩根士丹利預計臺積電第二季度營收將下降 5% 至 9%

今日報導來自臺灣供應鏈消息人士分享，臺積電2納米半導體量產(chǎn)如期進行。該公司的高管多次概述了下一代制造工藝的時間表，包括在 2021 年的一次會議上，該公司首席執(zhí)行官 CC Wei 博士分享了他的公司對 2025 年 2 納米量產(chǎn)充滿信心。

此后，臺積電負責研發(fā)和技術的高級副總裁 YJ Mii 博士去年確認了這一時間表，而魏博士最近對此事的看法是在 1 月份，當時他透露該過程“提前”并在2024年進入試產(chǎn)階段（也是臺積電時間線的一部分）。

最新的信息來源建立在這些聲明的基礎上，并補充說大規(guī)模生產(chǎn)將在臺積電位于新竹寶山的工廠進行。新竹工廠是臺積電先進技術的首選，該公司還在臺灣臺中地區(qū)建設第二家工廠。這個名為 Fab 20 的設施將分階段建設，并于 2021 年得到管理層的確認——當時該公司為該工廠購買了土地。

報告中另一個有趣的花絮是所謂的 N2P 生產(chǎn)過程。雖然臺積電已經(jīng)確認了 N3 的高性能變體，稱為 N3P，但該晶圓廠尚未提供 N2 工藝節(jié)點的類似細節(jié)。供應鏈消息稱，N2P 將使用 BSPD（背面供電）來提高性能。BSPD是業(yè)內(nèi)所謂的硅通孔 (TSV)的延伸。TSV 是穿過晶圓并允許多個半導體（例如存儲器和處理器）相互堆疊的連接。BSPDN（背面供電網(wǎng)絡）涉及將晶圓彼此粘合，并在電流通過更合適的電阻更低的背面輸送到芯片時產(chǎn)生功率效率。

半導體制造是一個復雜的過程。雖然比人類頭發(fā)小數(shù)千倍的印刷晶體管通常最受關注，但其他同樣復雜的領域限制了制造商提高芯片性能。

臺積電的目標是使其新技術的性能比目前最新的 3nm 技術提高 10% 至 15%。此外，新技術還可以將功耗降低 25% 到 30%。

芯片制造的下一階段，臺積電將轉(zhuǎn)向具有更大鏡頭的機器。這些被稱為高 NA（數(shù)值孔徑）EUV光刻機，Mii 博士概述了他的公司將在 2024 年收到它們。由此看來，臺積電似乎將使用這些機器通過其 2 納米制造工藝制造芯片。

盡管有傳言稱采用了新的工藝技術，但投資銀行摩根士丹利認為，臺積電第二季度的收入將下降 5% 至 9%。該銀行的最新報告增加了預期的降幅，最初預計該降幅為 4%。下降背后的原因是智能手機芯片公司的訂單減少，

摩根士丹利補充說，臺積電可以將其 2023 年全年收入指引從“輕微增長”下調(diào)至持平，其主要客戶蘋果公司將不得不在今年晚些時候接受 3% 的晶圓價格上漲。根據(jù)研究報告，臺積電用于 iPhone 的 N3 工藝節(jié)點的良率也有所提高。