據韓媒報道，三星電子正在加速進軍下一代功率半導體市場，在組建與SiC和GaN器件開發相關的功率半導體TF后，目前正積極投資研發和原型生產所需的設施。

報道稱，三星電子正試圖引進更先進的8英寸碳化硅工藝設備。據了解，迄今為止完成的投資約在1000億至2000億韓元（約6-12億人民幣）之間。投資規模足以實現原型的量產，而不僅僅是簡單的工藝開發。

與硅基半導體相比，SiC半導體具有優越的高壓和高溫性能，作為用于電氣設備、可再生能源和工業用途的半導體器件，備受關注。該市場目前由德國、美國和日本的半導體公司主導。

隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%。

與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。

事實上，韓國早在2000年就開始布局第三代半導體產業，并在近年來不斷加大力度，頻頻發力，政策發布，企業擴產收購不斷。

2000年韓國制訂了GaN開發計劃，政府在2004~2008年投入4.72億美元，企業投入7.36億美元以支持韓國進行光電子產業發展，使韓國成為亞洲最大的光電子器件生產國。

2009年韓國發布《綠色成長國家戰略》，全力發展環保節能產業，并致力于使得該產業成為韓國經濟增長的主要動力之一。

2010—2012年間投入約4500萬美金以推動MOCVD機臺實現國產化、引進制程自動化系統并開發高速封裝、監測設備。

2016年，韓國圍繞Si基GaN和SiC器件啟動功率電子國家項目，同時重點圍繞高純SiC粉末制備、高純SiC多晶陶瓷、高質量SiC單晶生長、高質量SiC外延材料生長4個方向，開展了國家研發項目。

2017年，韓國產業通商資源部（MOTIE）舉辦研討會，為了強化系統半導體的競爭力，產、官、學三界聯手投資4645億韓元（4.15億美元），開發低能源、超輕量和超高速的半導體芯片。

這當中1326億韓元用于開發先進超輕量傳感器、837億韓元投入低耗能的SiC功率半導體，47億韓元投資超高速存儲器和系統整合設計技術。

2021年，韓國政府對第三代半導體的發展越來越重視，并于同年發布了一份先進功率半導體研發和產能提升計劃，計劃到2025年將市場競爭力提升到全球水平，以便到那一年韓國至少有5種先進的功率半導體產品上市。

同時，韓國宣布啟動“X-band GaN半導體集成電路”國產化課題。韓國無線通信設備半導體企業RFHIC（艾爾福）被選定為課題牽頭企業，SK Siltron將參與SiC基板/GaN樹脂的制作，LIG nex1負責系統的驗證，韓國電子通信研究院(ETRI)的半導體工廠將被用來進行GaN MMIC的制作。

2022年，韓國推出其由國內半導體企業、大學、研究所等組成的“新一代晶體工程部”。以開發新一代功率半導體，應對碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 和氧化鎵 (Ga203) 等快速增長的全球功率半導體市場。

其中，LX Semicon、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半導體公司將參與材料、零件、設備的功率半導體開發。

目前，在全球第三代半導體的爭奪戰中，韓國正在向歐美日巨頭發起沖擊。