近日，納微半導體宣布發布全新GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現。
氮化鎵是相比傳統高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。采用了氮化鎵的充電器，能在尺寸和重量減半的前提下，實現高達3倍的功率處理能力或快3倍的充電能力。在電源系統中，一個優化的高頻低壓 (LV) 硅系統控制器必不可少。納微不僅開發了這樣的控制器還將其與其高性能的氮化鎵芯片集成在一起，推出了業界首創的GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片技術。
初代GaNSense™ Control 合封氮化鎵功率芯片系列具有高頻準諧振 (HFQR) 反激，支持 QR、DCM、CCM 和多頻率、混合模式運行，頻率高達 225 kHz。從單個采用表面貼片的QFN 封裝（NV695x 系列）到以芯片組 (NV9510x + NV61xx)，可最大化電路設計的靈活性。在副邊，與傳統整流器相比，集成了同步整流器 (SR)的氮化鎵功率芯片(NV97xx) ，可在任何負載條件下實現最大效率。
GaNSense™ Control合封芯片集成了無損電流檢測、高壓啟動、抖頻、低待機功率、寬Vdd輸入電壓的特性，能在元件更少，無電流采樣電阻熱點的前提下，帶來小巧、高效、溫控更優的系統。此外，一系列的集成保護功能包括800V瞬態電壓擊穿、2kV ESD及智能的過壓、過流、過溫保護帶來了更穩固的功率芯片和可靠的電源系統。
Source：納微半導體
GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片將率先覆蓋20-150W的智能手機、平板電腦和筆記本電腦充電器，消費電子和家用電器、銷售終端機、大功率數據中心和400V電動汽車系統中的輔助電源。目前，發貨量已經超過100萬片。
納微半導體聯合創始人兼首席技術官、首席運營官Dan Kinzer表示：“我們將高頻、模擬和混合信號的硅控制器，戰略性地加入到與現有的氮化鎵、碳化硅和數字隔離技術平臺中去，為更優的電源系統奠定了設計基礎，增加了每年10億美元的市場機遇。我們先為GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片錨定了移動快充、家用電器以及數據中心輔助電源的市場方向。未來，我們將擴大版圖至更高功率的清潔能源、儲能和電動汽車領域。納微半導體在這些市場中具備獨有的優勢——憑借先進的系統設計中心，影響客戶的系統架構選擇。由此，無論在下一代功率半導體中選擇氮化鎵還是碳化硅，我們都將具備最大化系統優勢。”
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