
光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊,采用M1H芯片,導(dǎo)通電阻8-17毫歐五個(gè)規(guī)格,PressFIT壓接針和NTC。
產(chǎn)品型號(hào):
▪️ DF17MR12W1M1H
▪️ DF16MR12W1M1H
▪️ DF14MR12W1M1H
▪️ DF11MR12W1M1H
▪️ DF8MR12W1M1H
產(chǎn)品特點(diǎn)
Best-in-Class封裝,高度為12毫米
領(lǐng)先的WBG材料和Easy模塊封裝
非常低的模塊雜散電感
大的反向工作安全區(qū)RBSOA
1200V CoolSiC™ MOSFET,M1H芯片
增大了推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍,從+15...+18V & 0...-5V
擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓為-10V到+23V
過(guò)載條件下的Tvjop最高可達(dá)175°C
集成NTC溫度傳感器
應(yīng)用價(jià)值
突出的模塊效率,系統(tǒng)成本低
系統(tǒng)效率提高,減少冷卻需求
可以提高開(kāi)關(guān)頻率以提高功率密度
最佳的性價(jià)比可降低系統(tǒng)成本
競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
廣泛應(yīng)用的Easy封裝
在相同的芯片尺寸下,RDS降低12%。
更寬的柵源電壓
最高結(jié)溫Tvjop為175°C
新的芯片尺寸,增加了產(chǎn)品組合
應(yīng)用領(lǐng)域
光伏
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