支持?jǐn)?shù)據(jù)中心800Gbps/1.6Tbps傳輸速率

200Gbps(112Gbaud PAM4) EML芯片外觀

112Gbaud PAM4 眼圖

(back-to-back, Vpp=1.2V)

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布其新開發(fā)出一款單波200Gbps(112Gbaud四電平脈沖幅度調(diào)制(PAM4))電吸收調(diào)制器激光二極管(EML)芯片。該款芯片采用了專有的混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使其傳輸速率比該公司現(xiàn)有的100Gbps EML芯片提升了一倍。同時(shí)，該芯片還支持四個(gè)波長(zhǎng)的粗波分復(fù)用(CWDM)，達(dá)到了使用4顆芯片實(shí)現(xiàn)800Gbps傳輸速率，或8顆芯片實(shí)現(xiàn)1.6Tbps傳輸速率的應(yīng)用目標(biāo)。

激光器性能的大幅提高將極大提升數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的光收發(fā)模塊傳輸速度，以應(yīng)對(duì)隨著視頻分發(fā)服務(wù)和云計(jì)算快速發(fā)展帶來的數(shù)據(jù)流量激增的需求。

三菱電機(jī)已于3月5日至9日在美國(guó)圣地亞哥舉辦的2023光通信展(OFC2023)上展示該最新芯片。

產(chǎn) 品 特 點(diǎn)

獨(dú)特的混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，極大地提升了傳輸速度、消光比和光輸出功率等指標(biāo)

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三菱電機(jī)獨(dú)特的混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，將高光輸出功率的掩埋型激光二極管和高階波導(dǎo)電吸收調(diào)制器相結(jié)合，幫助實(shí)現(xiàn)高達(dá)200Gbps的傳輸速率、高消光比和高輸出功率。

支持4個(gè)CWDM波長(zhǎng)，幫助提高傳輸速度、減少光纖需求

新型芯片產(chǎn)品支持4個(gè)CWDM波長(zhǎng)-1271、1291、1311和1331納米，類似于該公司現(xiàn)有的100Gbps產(chǎn)品，允許不同波長(zhǎng)的光信號(hào)在單個(gè)光纖中復(fù)用，從而減少所需要的光纖數(shù)量。

一個(gè)收發(fā)器中的四顆芯片可以實(shí)現(xiàn)800Gbps傳輸，八顆芯片可以實(shí)現(xiàn)1.6Tbps傳輸。

800Gbps光收發(fā)器配置示例

主 要 規(guī) 格

后 續(xù) 計(jì) 劃

三菱電機(jī)計(jì)劃從2024年開始批量生產(chǎn)該芯片。同時(shí)還考慮將支持?jǐn)U大到8個(gè)波長(zhǎng)，以兼容更多的傳輸應(yīng)用。

環(huán) 境 意 識(shí)

本產(chǎn)品符合RoHS^*1指令2011/65/EU和(EU)2015/863。

*1 Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment