三星電子 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 Jooyoung Lee 表示：“我們的 12 納米范圍 DRAM 將成為推動(dòng) DDR5 DRAM 在市場(chǎng)范圍內(nèi)采用的關(guān)鍵推動(dòng)力。” “憑借卓越的性能和能效，我們希望我們的新 DRAM 能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營(yíng)的基礎(chǔ)。”

“創(chuàng)新通常需要與行業(yè)合作伙伴密切合作，以推動(dòng)技術(shù)的發(fā)展，”AMD 高級(jí)副總裁、企業(yè)研究員兼客戶(hù)、計(jì)算和圖形首席技術(shù)官 Joe Macri 說(shuō)。“我們很高興再次與三星合作，特別是推出在‘Zen’平臺(tái)上經(jīng)過(guò)優(yōu)化和驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品。”

這一技術(shù)飛躍是通過(guò)使用增加電池電容的新型高 κ 材料和改善關(guān)鍵電路特性的專(zhuān)有設(shè)計(jì)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。結(jié)合先進(jìn)的多層極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)，新型 DRAM 具有業(yè)界最高的芯片密度，可將晶圓生產(chǎn)率提高 20%。

利用最新的 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)，三星的 12 納米級(jí) DRAM 將有助于解鎖高達(dá)每秒 7.2 吉比特 (Gbps) 的速度。這相當(dāng)于在一秒鐘內(nèi)處理兩部 30 GB 的 UHD 電影。

新 DRAM 的超常速度與更高的能效相匹配。12 納米級(jí) DRAM 的功耗比以前的 DRAM 低 23%，將成為追求更環(huán)保運(yùn)營(yíng)的全球 IT 公司的理想解決方案。

隨著大規(guī)模生產(chǎn)將于 2023 年開(kāi)始，三星計(jì)劃將其基于這種尖端 12 納米級(jí)工藝技術(shù)構(gòu)建的 DRAM 產(chǎn)品線擴(kuò)展到廣泛的細(xì)分市場(chǎng)，因?yàn)樗�繼續(xù)與行業(yè)合作伙伴合作以支持下一代的快速擴(kuò)展-代計(jì)算。

新消息傳出，三星電子（Samsung Electronics）的DRAM 市占摔至8 年新低。記憶體市場(chǎng)凄慘，該公司卻沒(méi)打算刪減資本支出、也無(wú)意下砍產(chǎn)出，或許與市占大減有關(guān)。

BusinessKorea 9日?qǐng)?bào)導(dǎo)，南韓券商Eugene Investment & Securities報(bào)告稱(chēng)，今年第三季，全球DRAM銷(xiāo)售額為179.73億美元，較第二季急縮29.3%。

第三季，三星DRAM銷(xiāo)售驟減33.7%，從第二季的111.21億美元降至73.71億美元，跌幅高于整體市場(chǎng)。與此同時(shí)，三星DRAM市占萎縮2.7%，從43.7%降至41.0%。根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，這是三星2014年第三季以來(lái)的市占新低。

韓廠SK海力士（SK Hynix）和美商美光（Micron）市占分別排名第二、第三，這兩家公司的銷(xiāo)售跌幅小于三星，而且占有率雙雙提高。第三季，SK海力士市占上升1.9%至29.5%、美光上升0.8%至24.2%。

南韓三星電子持續(xù)稱(chēng)霸DRAM 市場(chǎng)，4~6 月期間橫掃逾四成市占，市占率連三季擴(kuò)大，美國(guó)美光（Micron）市占則陷入萎縮。

韓媒中央日?qǐng)?bào)日文版17日?qǐng)?bào)導(dǎo)，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia 16日資料顯示，4~6月期間三星電子于DRAM市場(chǎng)拿下高達(dá)43.4%市占率，持續(xù)穩(wěn)居龍頭位置，且市占率連續(xù)第三季呈現(xiàn)擴(kuò)大。

2021年10~12月時(shí)三星市占率擴(kuò)大至41.9%、2022年1~3月擴(kuò)大至42.7%、4~6月再擴(kuò)大至43.4%。

4~6月SK海力士（SK Hynix）以28.1%市占率居第二，較前一季（1~3月）27.1%揚(yáng)升1個(gè)百分點(diǎn)；美光市占率23.6%居第三，市占率較前一季24.8%下滑1.2個(gè)百分點(diǎn)。

NAND型快閃記憶體（Flash Memory）部分，4~6月三星以33.3%市占率穩(wěn)居首位，不過(guò)較前一季35.5%萎縮2.2個(gè)百分點(diǎn)；SK海力士（含子公司Solidigm）市占率20.4%位居第二，其次為日本鎧俠（Kioxia）16.0%，美國(guó)威騰電子（Western Digital）、美光市占率各為13.0%。

DRAM、NAND Flash等記憶體市場(chǎng)受全球景氣低迷影響，導(dǎo)致需求萎縮、價(jià)格下滑，不過(guò)三星基于「積極投資、克服危機(jī)」想法，積極投資記憶體領(lǐng)域，5日宣布2023年量產(chǎn)第五代10納米級(jí)DRAM、2024年量產(chǎn)第九代V-NAND。