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新品

2000V 60A CoolSiC™ MOSFET

EasyPACK™ 3B首發(fā)產(chǎn)品

采用2000V SiC MOSFET的4路1500V光伏系統(tǒng)升壓電路，每路電流IDN=60A

產(chǎn)品型號(hào)：

DF4-19MR20W3M1HF_B11

DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個(gè)采用EasyPACK™ 3B封裝的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模塊。它實(shí)現(xiàn)了更簡(jiǎn)單的解決方案，減少了器件的數(shù)量，同時(shí)提高了功率密度，降低了1500 VDC應(yīng)用的總系統(tǒng)成本。

DF4-19MR20W3M1HF_B11是4路Boost升壓電路，采用Easy 3B封裝。

Easy 3B封裝，采用最新一代的CoolSiC™ M1H芯片。2000V SiC MOSFET具有與1200V M1H系列相同的性能和優(yōu)勢(shì)，包括在125°C時(shí)降低12%的RDSon，更寬的柵源電壓區(qū)，具有更高的靈活性，最大結(jié)溫為175°C，并且芯片尺寸更小。

產(chǎn)品特點(diǎn)

2000V CoolSiC™ MOSFET，是增強(qiáng)的第1代產(chǎn)品

Easy 3B封裝

4路升壓電路

擴(kuò)大了推薦的柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口，從+15...+18V和0...-5V

擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓為+23V和-10V

過(guò)載條件下的Tvjop高達(dá)175°C

PressFIT壓接針

應(yīng)用價(jià)值

提高功率但器件數(shù)減少一半

最新的CoolSiC™技術(shù)使您可以完全自由地選擇關(guān)斷時(shí)的柵極電壓

與1700V相比，F(xiàn)IT率降低了10倍，因?yàn)闇p少了宇宙射線引起的故障率

減少了由動(dòng)態(tài)分量引起的漂移

目標(biāo)應(yīng)用

光伏升壓電路

框圖

移動(dòng)互聯(lián)

2010年，中國(guó)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)用戶(hù)規(guī)模達(dá)到3.03億人2011年，中國(guó)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)進(jìn)入了更加快速發(fā)展的一年，無(wú)論是用戶(hù)規(guī)模還是手機(jī)應(yīng)用下載次數(shù)都有了快速的增長(zhǎng)。在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的大的趨勢(shì)下，中自傳媒已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行區(qū)別于傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)的運(yùn)營(yíng)模式探索，伴隨著產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)格局的變化提供創(chuàng)新的服務(wù)