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2000V 60A CoolSiC™ MOSFET
EasyPACK™ 3B首發產品
采用2000V SiC MOSFET的4路1500V光伏系統升壓電路，每路電流IDN=60A
產品型號：
DF4-19MR20W3M1HF_B11
DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個采用EasyPACK™ 3B封裝的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模塊。它實現了更簡單的解決方案，減少了器件的數量，同時提高了功率密度，降低了1500 VDC應用的總系統成本。
DF4-19MR20W3M1HF_B11是4路Boost升壓電路，采用Easy 3B封裝。
Easy 3B封裝，采用最新一代的CoolSiC™ M1H芯片。2000V SiC MOSFET具有與1200V M1H系列相同的性能和優勢，包括在125°C時降低12%的RDSon，更寬的柵源電壓區，具有更高的靈活性，最大結溫為175°C，并且芯片尺寸更小。
產品特點
2000V CoolSiC™ MOSFET，是增強的第1代產品
Easy 3B封裝
4路升壓電路
擴大了推薦的柵極驅動電壓窗口，從+15...+18V和0...-5V
擴展的最大柵極-源極電壓為+23V和-10V
過載條件下的Tvjop高達175°C
PressFIT壓接針
應用價值
提高功率但器件數減少一半
最新的CoolSiC™技術使您可以完全自由地選擇關斷時的柵極電壓
與1700V相比，FIT率降低了10倍，因為減少了宇宙射線引起的故障率
減少了由動態分量引起的漂移
目標應用
光伏升壓電路
框圖
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