V_cc

在無開關動作狀態下P-N端子間最大電壓。如果P-N間的電壓超過此值，則需要在電路中追加諸如制動電路等抑制母線電壓上升的措施。

V_cc(surge)

在開關動作狀態下P-N端子間的最大浪涌電壓，如果P-N間的電壓超過此值，則需追加吸收電路或減少布線的寄生電感來抑制母線電壓浪涌。

V_cc(PROT)：自保護起作用的直流母線電壓限制（短路保護能力）

在短路或過流故障時能夠保證IGBT安全關斷的最大母線電壓，如果母線電壓超過此值，可能損壞功率芯片。

V_CES：IGBT集電極-發射極之間電壓

V_CES為模塊內部IGBT芯片集電極-發射極之間能承受的最大耐壓值，在實際應用中應確保實際施加到IGBT芯片C-E上的電壓低于V_CES。

I_c：IGBT集電極電流

I_c為DIPIPM™內部IGBT芯片集電極在T_c=25℃時所能允許流過的直流電流最大值。IGBT作為開關器件，實際流過的是脈沖電流，工作時周期性的開通和關斷必然帶來開關損耗，從而導致內部功率芯片的結溫變高。在實際工作中，模塊工作電流一般小于規格書中I_c。合適的工作電流值既要保證DIPIPM™關斷時刻的電壓值在安全工作區內，也要保證內置功率芯片的結溫在安全范圍內(≤T_jmax)。

I_CP：IGBT集電極峰值電流

I_CP描述的是DIPIPM™內部IGBT芯片集電極在T_c=25℃時所能流過的脈沖電流峰值。因為不是持續工作，脈沖電流的寬度以及重復率一定要確保芯片結溫不超過其最大結溫值(≤T_jmax)。

V_D/V_DB：控制電源電壓

V_D為施加于V_P1-V_NC、V_N1-V_NC之間的電源電壓，V_DB為施加于P側自舉端V_UFB-U、V_VFB-V、V_WFB-W之間的電源電壓。兩者均不可超過20V，否則可能使模塊控制側過壓失效，進而導致控制信號紊亂造成橋臂直通短路。

V_iso：絕緣電壓

V_iso為模塊所有端子短接后與金屬散熱面之間可承受的絕緣電壓，不同封裝產品的絕緣電壓會有不同，具體請參考各自規格書。絕緣耐壓測試是產品在出廠前最終測試中的一項，圖1給出了以超小型DIPIPM™為例的絕緣耐壓測試方法示意圖。

T_j：功率芯片結溫

盡管內置功率芯片最大的結溫定額是T_jmax=150℃或175℃，但考慮到安全運行，推薦將平均結溫T_jave限制在125℃或150℃以內。重復的溫度變化ΔT_j會影響模塊的壽命即功率循環次數，需要依據壽命曲線來進行安全設計。

T_c：模塊工作殼溫

T_c被定義為指定功率芯片正下方的溫度，將溫度傳感器放在散熱面的指定位置上可以測得準確的溫度信息，如圖2所示，不同型號產品請查看各自規格書，T_c測試點一般設定在模塊VN-IGBT的正下方。當采用不同的控制策略時，T_c最高溫度點可能不在上述位置，此時有必要將測量點調整到溫度最高的功率芯片正下方。

T_stg：存儲溫度

DIPIPM™在存儲過程中所允許的環境溫度范圍，模塊內部包含芯片以及多種材料，因此要保證存儲溫度在規格書范圍內，避免不合適的溫度對模塊內部材料帶來影響。

R_th(j-c)Q/R_th(j-c)F：熱阻

一般指穩態時芯片結殼間熱阻，其中R_th(j-c)Q為單個IGBT芯片的結殼間熱阻，R_th(j-c)F為單個續流二極管的結殼間熱阻，需要注意的是SLIMDIP-S等內置RC-IGBT的模塊僅標稱了R_th(j-c)Q。熱阻大約會在10s后進入飽和狀態，非飽和態時的熱阻為瞬態熱阻。DIPIPM™典型熱阻路徑及瞬態熱阻典型曲線如圖3所示。Z_th(j-c)*為瞬態熱阻的標稱值(Z_th(j-c)*= Z_th(j-c) / R_th(j-c)max)。如PSS15S92*6-AG的IGBT瞬態熱阻在0.3s時為3.7×0.8=3.0K/W。瞬態熱阻并不適用于恒定電流下，僅適用于電機啟動及電機堵轉等時的短時電流（ms級）下。