－該系列產品包含1200V和650V兩種規格－
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。
東芝將進一步壯大其功率器件產品線，強化生產設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現碳中和經濟。
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開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）
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電動汽車充電站
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光伏變頻器
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不間斷電源（UPS）
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單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）
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低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）
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低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
（除非另有說明，Ta＝25℃）
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