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IEGT

對(duì)于大多數(shù)電子工程師而言，IEGT似乎是一個(gè)比較陌生的名詞，在現(xiàn)實(shí)使用環(huán)境中往往將IEGT當(dāng)成增強(qiáng)型的IGBT來使用，特別是在一些特定的高壓大容量場(chǎng)合中常常能見到它的身影。由于IEGT在功能上繼承了GTO和IGBT的特征優(yōu)點(diǎn)，因此在各種大功率變流器中都有著不俗的表現(xiàn)。

為了使大家更了解IEGT的特性，下面以東芝半導(dǎo)體研發(fā)的IEGT產(chǎn)品ST2000GXH32為例進(jìn)行說明。

圖：IGBT、IEGT芯片剖面載流子分布

器件屬性綜述

IEGT有兩種封裝形式：PMI和PPI，ST2000GXH32屬于PPI封裝形式，PPI是一種由東芝率先商業(yè)化的獨(dú)特封裝IGBT器件形式，具有可靠性高、功率密度大、防爆性能優(yōu)異、方便壓接使用、方便器件串聯(lián)等優(yōu)異特點(diǎn)。

圖：ST2000GXH32封裝效果圖

在電氣特性方面ST2000GXH32的額定電流為2000A，額定集電極-發(fā)射極電壓為4500V，集電極-發(fā)射極飽和電壓（最大值）為3.3V，二極管正向電壓（最大值）為3.4V，并且器件在開關(guān)使用中所造成的能量損耗也是比較小的。

圖：ST2000GXH32電氣特性部分參數(shù)表

應(yīng)用場(chǎng)景部署

基于PPI的高可靠性、高功率密度特性，雙面冷卻、易串聯(lián)的特點(diǎn)，ST2000GXH32可用于高壓直流輸電工程。除此之外，該產(chǎn)品還可以安裝在電力系統(tǒng)中，用作靜止無功補(bǔ)償裝置，有助于提高電力質(zhì)量和功率因數(shù)等。它也可以安裝在高頻變壓器中，例如在大容量軋鋼設(shè)備中使用的IEGT變頻器，就是充分利用了串聯(lián)、雙面冷卻的特點(diǎn)。

圖：IEGT在直流高壓電路中的簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)圖

在上世紀(jì)九十年代，東芝率先通過柵極注入增強(qiáng)技術(shù)降低IGBT器件的靜態(tài)損耗，并且以柵極注入增強(qiáng)技術(shù)（Injection Enhanced Gate Transistor）的首字母注冊(cè)了東芝專屬的IGBT器件名稱——IEGT。東芝半導(dǎo)體是全球先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)計(jì)制造公司，致力創(chuàng)新和突破傳統(tǒng)元器件的特有屬性，在保證可靠性能的前提下進(jìn)一步提升芯片的功能屬性和穩(wěn)定特性，幫助市場(chǎng)更好服務(wù)大眾。

移動(dòng)互聯(lián)

2010年，中國移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)用戶規(guī)模達(dá)到3.03億人2011年，中國移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)進(jìn)入了更加快速發(fā)展的一年，無論是用戶規(guī)模還是手機(jī)應(yīng)用下載次數(shù)都有了快速的增長(zhǎng)。在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的大的趨勢(shì)下，中自傳媒已經(jīng)開始進(jìn)行區(qū)別于傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)的運(yùn)營(yíng)模式探索，伴隨著產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)格局的變化提供創(chuàng)新的服務(wù)