眾所周知，在硅材料和芯片上，我國半導體企業歷經了一段艱苦而困難的追趕過程，那么在八英寸SiC上，我國的實際表現又如何呢？在具體介紹這個之前，我們先看一下碳化硅的優勢。
按照山東大學晶體材料實驗室、南砂晶教授徐現剛在早前于南沙舉辦的“2022中國·南沙國際集成電路產業論壇——寬禁帶半導體論壇”上所說，碳化硅的熱導率為5，這個數字僅次于金剛石（熱導率22），但遠遠高于砷化鎵，由此可以看到它的熱導率性能非常好；與硅相比，碳化硅的帶隙是前者的3倍，飽和電子速率是前者的2倍，這從物理性質上決定了它有非常好的性質，有很好的應用前景。
“碳化硅還有一個優點，那就是它的硬度和金剛石差不多，高達9.8（金剛石是10）。另外，它的光學方面也有很好的優點，也僅次于金剛石。這些優點決定了上世紀50年代在尋找半導體材料的時候，就找到了碳化硅，但由于材料技術和設備的限制，這種材料一直默默無聞，沒有發展起來。但它們在‘高功率、高頻、高溫、高效’方面給我們提供了可能性”徐現剛教授補充說。
徐現剛教授表示，碳化硅材料的發展有一段很悠長的歷史。自1885年瑞典的科學家發明了碳化硅生長裝置以來（這個裝置目前我們還在沿用），我們就在其上把沙子和木炭這樣的核心原材料加熱到1500℃左右，通過導電，引發自蔓延反應，形成碳化硅。
徐現剛教授同時指出，碳化硅的原材料來源于沙子，也就是二氧化硅，常用的是高純石英礦。而從碳化硅發明到現在，大部分時間的用途是非單晶的，都是用在磨料、砂輪、陶瓷和纖維上。但在1955年Lely發明了一個后來被稱為“Lely法”的制造工藝之后，碳化硅制造又有了新的選擇。
不過，徐現剛教授也直言，傳統的“lely法”生長的難度非常高，這也是導致碳化硅單晶在最近六七十年的發展落后于硅單晶的原因。但在科學家于1978年修正了Lely法后，形成了我們目前常用的第三種方法。
“目前主流的單晶生長方法就是PVT和高溫CVD法，液相法在最近也逐步進入了大家的視線。對于這些制造方法來說，由于其需求的溫度非常高（熔體達到3000℃以上、5000kpa大氣壓以下），所以用傳統長單晶的方法很難實現，帶來了難度的增加。另外，雖然它們都叫碳化硅，但碳化硅還有一個同數據構體，也就是說元素一樣、結構不一樣（現在在自然界可以存在200多種類型），這樣很難控制它的唯一性生長。和傳統的硅單晶相比，碳化硅單晶生長是黑盒子系統，生長過程我們不可看，這些都增加了碳化硅單晶生長的難度。”徐現剛教授說。
即使如此難，但據徐現剛教授介紹，在過去幾十年的發展中，我國在碳化硅單晶研究也取得幾個階段性的進展：
第一階段
90年代光電的應用，碳化硅作為襯底，成功應用在光電領域，推動了碳化硅光電的進展；
第二階段
微波電子。由于國家的重大需求，推動了它在微波電子上的應用，我們現在做的微波電子不比國外差。
第三階段
功率電子的應用。希望上下游通力合作，在這方面趕超國外。
他進一步指出，國際上十年前突破了6英寸襯底技術，在“十三五”期間更是突破了8英寸襯底關鍵技術，并于今年成功導入量產。而我國在這上面也有三十多年的研究歷史。而他所在的山東大學從2000年開始啟動碳化硅單晶的生長工作，中間克服了多項關鍵技術。2011年，他們對其進行了產業化轉化，并成功轉化到山東天岳，把我們的襯底制備技術推向了市場。
“經過多年的理論和技術攻關，我們也把碳化硅單晶直徑從6英寸擴展到了8英寸，通過X光分析，這些晶體質量還是不錯的。”徐現剛教授在演講中表示。
據他所說，8英寸單晶的研發和跟種莊稼一樣，要有種子才能長出來。所以在制備的時候，首先第一步要得到種子，也就是籽晶。現在的8英寸時代，國際和國內都重視對種子的培養，所以我們第一代培養的是種子，并不是半晶圓，沒有進行摻雜，后續有了種子，我們才會進行第二步的摻雜。“我們從2018年開始攻關了好久，突破8英寸的種子是非常難的，每次晶體從150mm邁向200mm的時候，每次只進展幾毫米，花費時間非常長，所以科研經費也非常重要，能給我們投入一點，我們就能進步一點。”徐現剛教授教授強調。
在最后問到我們與國際在八英寸上的差距時，徐現剛教授回應道：“國外在‘十三五’期間攻克了8英寸，且很快進行了導入量產。我們國內非常重視，但這與我們科研實力條件的布局有關。目前我們已經有了8英寸，差距也就是在兩到三年之內。隨著大家的積極投入，這個時間的差距會越來越小”。
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