為應對氣候變化、解決環境保護與經濟發展的矛盾，我國提出碳達峰、碳中和“3060”的目標。“雙碳”戰略的推進為各行各業注入了新的活力，不斷改變著行業的競爭格局，也催生了新能源汽車、光伏、風電、儲能等一批新型產業的興起。
相關數據顯示，我國新能源汽車累計銷量從2012年底的2萬輛，大幅攀升到今年5月底的1108萬輛。自2015年起，產銷量連續7年位居世界第一。在新能源發電領域，分析機構Wood Mac預計至2025年全球光伏和風電裝機量有望分別達到146GW和86GW。作為功率器件應用的重要下游，全球新能源滲透率的快速提升有望持續帶動功率器件下游需求，全行業景氣度有望維持高位。
IGBT等功率器件作為光伏逆變器、風電變流器及儲能變流器的核心半導體部件，對電流起到整流、逆變等作用，以實現新能源發電的交流并網、儲能電池的充放電等功能。因此IGBT等功率器件將充分受益于綠電及儲能的高速發展。根據相關機構測算，全球風電、光伏及儲能對IGBT的需求價值量將由2021年的86.7億元增長至2025年的182.50億元，CAGR高達20.45%。
在碳中和背景下，以光伏、風電、儲能為代表的新能源產業已顯現出長遠的發展價值，而電力轉換是新能源的核心技術，隨著碳化硅等新一代電力電子器件的出現，勢必會改變新能源行業的發展格局。
8月，PCIM ASIA 2022即將在上海舉辦，《變頻器世界》從本期開始，將與PCIM ASIA合作，共同打造全新的《電力電子專欄》。本期我們特邀請業內企業、專家、工程師圍繞“面對新興產業的發展和新興領域的應用需求，電力電子將做出哪些改變，以更好地滿足行業需求和促進電力電子技術的發展。”話題進行廣泛參與討論。
特邀專家組（以下排名不分先后）
英飛凌科技工業功率控制事業部市場總監 陳子穎
大中國區三菱電機半導體應用技術中心副經理 陸思清
羅姆半導體（深圳）有限公司技術中心高級經理 蘇勇錦
富士電機（中國）有限公司副總經理、半導體營業本部 本部長 小田切 亨
安森美(onsemi)全球方案中心應用市場工程師 賈鵬
南京芯長征科技有限公司市場部經理 胡少偉
成都森未科技有限公司COO 王思亮
珠海稼未來科技有限公司CEO&CTO 吳毅鋒
Q1：隨著光伏補貼的取消，光伏產業降成本將成為一個重要的話題，對于功率半導體廠商，您認為光伏產業降本增效應該從哪些方面出發？
陳子穎---英飛凌科技工業功率控制事業部市場總監
海上有豐富的風力資源，一般需要更大功率的風電機組，這對功率半導體的功率密度有更高的要求。海上風力發電機設計必須提供最大化的可用性，幫助保持電網的穩定性，所以同時需要更高的可靠性和壽命。
目前風電變流器的主流功率平臺是PrimePACK? 3和EconoDUAL? 3 IGBT模塊，在今年的PCIM展會上英飛凌將展出采用IGBT5.xt互聯技術的1800A/1700V PrimePACK? 3+模塊和EconoDUAL? 3 900A/750A配增強型二極管，1700V IGBT7。
采用IGBT5.xt的1700V PrimePACK?是未來幾年內風電市場的領先產品，可提供出色的功率循壞能力，從而延長使用壽命。PrimePACK? 3+是種先進的功率模塊封裝，非常適合風能應用。封裝更適應嚴酷的環境，可實現高載流能力，產品的功率密度提高幅度高達25％，使用壽命增長10倍。
EconoDUAL? 3有著不俗的溫度周次能力，能夠承受大的負載變化造成的封裝機械應力，一直是風力發電，光伏發電和商用電動車等的首選。采用微溝槽技術的IGBT7，EconoDUAL? 3 best-in-class可以做到900A，標稱電流比IGBT4的600A大了50%，這樣大大提高的功率密度。750A配增強型二極管更是為風電應用定制而生。
小田切 亨---富士電機（中國）有限公司副總經理、半導體營業本部 本部長
隨著光伏各種補貼的取消，光伏行業成本上的競爭變得越來越激烈。目前逆變器成本已經被壓縮到了一個非常低的空間，進一步的大幅降低成本是比較困難的。除了成本的抑制以外，進一步提升效率、提高系統可靠性也需要重點考慮。
從功率半導體器件的視點看，我認為可以從以下幾個方面去考慮。
1.使用更新一代的功率半導體器件來提升系統整體效率。例如富士最新的X系列IGBT模塊的損耗大約較上一代模塊可以降低10%左右。
2.根據光伏的動作特點，例如開關速度快慢，電流能力高低的需求，靈活配置各IGBT和FWD芯片，例如使用高速和低速（低導通壓降）的芯片的混合配置，或者IGBT和FWD非1：1的電流配置等。
3.對于1500V系統，使用2.xkV等級耐壓的器件搭建兩電平結構替代NPC（中點鉗位）三電平拓撲以減少模塊數量和逆變器體積。
4.在原有的封裝基礎上，通過RC-IGBT、SiC等先進器件，進一步擴大電流等級，使得同樣的機型尺寸可以輸出更大的電流，實現更高功率密度。
賈鵬---安森美(onsemi)全球方案中心應用市場工程師
功率器件在光伏(PV)產業的主要表現形式是光伏逆變器中的逆變單元，隨著功率半導體產品的不斷發展，擁有更大耐壓的功率器件被大量采用在光伏逆變器中，這使得我們可以提高母線電壓，同樣也意味著相同功率下更小的電流，從而減小PV面板到逆變器中輸電電纜的尺寸，降低布線成本。
其次，一般功率器件在光伏逆變器的成本占比只有約10%-15%，而無源器件和安裝運輸成本可能占到40%-50%。采用更高效的電路拓撲結構，或更高效的半導體材料，如碳化硅(SiC)，可以讓逆變器高頻運行，并且不犧牲散熱能力，從而減少無源器件和散熱器尺寸和重量，降低安裝運輸成本。最后，由高效拓撲和材料帶來的，也是最直觀的收益，即系統能效的上升，大大提高了發電量和用戶收益。
其次，一般功率器件在光伏逆變器的成本占比只有約10%-15%，而無源器件和安裝運輸成本可能占到40%-50%。采用更高效的電路拓撲結構，或更高效的半導體材料，如碳化硅(SiC)，可以讓逆變器高頻運行，并且不犧牲散熱能力，從而減少無源器件和散熱器尺寸和重量，降低安裝運輸成本。最后，由高效拓撲和材料帶來的，也是最直觀的收益，即系統能效的上升，大大提高了發電量和用戶收益。
胡少偉---南京芯長征科技有限公司市場部經理
從器件角度：功率器件早期主要使用歐美品牌，近兩年國產品牌強勢崛起，在清潔能源領域share了部分市場份額，國產品牌更具性價比優勢。
從定制角度：國內品牌供應商，依據主流終端客戶的技術發展路線，從拓撲、封裝形式、器件規格等方面推出相應產品，降低系統成本。可靠性角度：產品可靠性關乎光伏企業的后期維護成本和品牌影響力，芯長征在產品可靠性方面做了大量布局(產業鏈、通用設備采購、定制設備開發、客戶特定需求轉化為可靠性的驗證的方案等等)，這些投入都是隱形的，但非常關鍵，也能為客戶減少售后成本。
王思亮---成都森未科技有限公司COO
逆變是光伏產業中的關鍵環節，而光伏逆變器中的核心器件是IGBT等功率半導體器件。器件本身的性能和損耗很大程度上決定了轉換效率和系統成本。因此，從IGBT等功率半導體方面考慮，提高器件的電流密度和開關頻率，同時降低器件的開關損耗，能夠同時達到降本增效的目的。
Doug Bailey---Power Integrations市場營銷副總裁
光伏(PV)市場已經面臨較高的成本壓力，補貼的降低很可能會引起進一步的整合。因此，系統層面的成本節約將是必需的。Power Integrations正在研究兩種方法：提高系統效率和采用新技術。
即插即用型SCALE-iFlex? LT雙通道門極驅動器可將多個并聯EconoDUAL模塊的性能提高20%，使用戶可以從功率逆變器和變換器堆棧中節省每六個模塊中的一個。除了節省驅動器和模塊的成本外，這還降低了控制復雜性以及與模塊、接線、硬件和散熱有關的成本。
在部分應用中，從IGBT轉向SiC MOSFET可以實現顯著的性能提升，從而降低系統成本。Power Integrations的SCALE-iDriver?系列高效率單通道SiC MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。這些器件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求。除了這些IC，Power Integrations還提供經過全面配置、測試和認證的SiC門極驅動板。
Q2：光電轉化效率是光伏降本的關鍵之一，貴公司如何通過新一代功率半導體幫助客戶解決當前困境，目前貴公司能為光伏行業提供怎么樣的解決方案，該方案的優勢如何體現？
陸思清---大中國區三菱電機半導體應用技術中心副經理
針對光伏行業，三菱電機新研發了工業LV100封裝IGBT模塊產品，電壓等級有1200V、1700V和2000V，電流等級有800A和1200A。模塊優化了內部芯片布局和外部端子排列，有利于模塊的并聯應用，使其可廣泛應用于逆變器的各自配置和容量。模塊搭載了三菱第7代IGBT和RFC二極管，有助于降低功率損耗。同時，模塊優化了內部電極結構，大大降低了內部封裝電感，提高了可靠性。
工業LV100封裝IGBT模塊
小田切 亨---富士電機（中國）有限公司副總經理、半導體營業本部 本部長
富士電機于2021年推出了基于X系列IGBT技術的新一代工業RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT)模塊產品系列。通過X系列芯片技術的低損耗和基于RC-IGBT的散熱性能的提高，逆變器的輸出功率密度得以進一步提升一個等級。先進的寬禁帶半導體器件也有助于系統效率的提升。
富士電機于2018年就推出了基于第一代溝槽柵結構的全碳化硅模塊。今年將會量產第二代SiC-Mosfet，通過芯片減薄和溝槽間距微細化技術單位面積的導通電阻比第一代降低了23%。整體損耗相對于富士電機最新的硅模塊可以降低百分之六十以上，可以大大提升逆變器的整體效率。
賈鵬---安森美(onsemi)全球方案中心應用市場工程師
安森美是領先的功率器件廠商，能夠提供適用于目前光伏市場的低中高壓IGBT、MOSFET單管和模塊產品及先進的高能效封裝。同時，安森美也是唯一能提供從碳化硅襯底到模塊的端到端供應商。憑借我們的碳化硅產品整合的端到端供應鏈和領先市場的效率，我們為客戶提供所需的供應保證，以支持未來快速增長的市場。
安森美提供寬廣的功率器件陣容讓設計人員選擇最適合應用尺寸、成本和能效要求的電源拓撲，我們基于SiC的太陽能逆變器模塊能效超過99%，我們的SiC MOSFET實現更快速的開關和更小巧的終端產品，如1200V M3S SiC MOSFET在硬開關應用中比領先行業的競爭對手減少達20%的功率損耗；我們新的D3 1200V SiC二極管系列最小化導通損耗和開關損耗，提高終端應用能效；
我們的全SiC和混合SiC模塊經優化提供卓越的性能，比分立器件熱阻更低，易于安裝，有行業標準的封裝和引腳，如將在本次PCIM Asia展出的全SiC功率集成模塊(PIM) NXH010P120MNF1非常適用于3相太陽能逆變器和儲能系統，采用2-PACK半橋架構，集成2個1200V SiC MOSFET，RDS(ON)低至10mΩ，高能效和高功率密度，它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度，嵌入的一個負溫系數(NTC)熱敏電阻有助于溫度監測，靈活的散熱接口提供高可靠性。
我們的全SiC和混合SiC模塊經優化提供卓越的性能，比分立器件熱阻更低，易于安裝，有行業標準的封裝和引腳，如將在本次PCIM Asia展出的全SiC功率集成模塊(PIM) NXH010P120MNF1非常適用于3相太陽能逆變器和儲能系統，采用2-PACK半橋架構，集成2個1200V SiC MOSFET，RDS(ON)低至10mΩ，高能效和高功率密度，它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度，嵌入的一個負溫系數(NTC)熱敏電阻有助于溫度監測，靈活的散熱接口提供高可靠性。
圖：全SiC模塊NXH010P120MNF1
此外，安森美也提供除功率器件以外的門極驅動、隔離、檢測、聯接等方案，如下面的框圖所示。在系統方面安森美也有很強的技術和系統知識，為客戶提供全球的應用支援。
圖：太陽能方案框圖(橙色表示安森美可提供)
吳毅鋒---珠海稼未來科技有限公司CEO&CTO
鎵未來已量產650V氮化鎵大功率器件，具有極低的開關損耗和導通內阻。
在戶用光伏的MPPT升壓線路中使用氮化鎵器件代替硅MOSFET，而后級DC-AC逆變線路當中，采用氮化鎵器件取代IGBT，整體的轉換效率可提升3%，等價于單位面積發電量的提升。使用氮化鎵器件，變換器的開關頻率可以提升2-3倍，降低了磁性器件的尺寸，另一方面功率損耗的降低也大大降低了散熱片的體積，從而使得整機體積和重量能減少30%，方便安裝。
Doug Bailey---Power Integrations市場營銷副總裁
對于光伏中心區域應用，例如能量通過一個中央變換器（也即SCALE-iFlex LT雙門極驅動器）進行路由的大型裝置，優化硅是必不可少的，并且需要高性能的并聯。動態和靜態均流性于并聯模塊的穩定工作至關重要。對于相同的功率輸出，使用SCALE-iFlex LT的系統只需要五個并聯模塊，而其他廠商的方案則需要六個。實現成本和復雜性顯著降低的技術原因在于，保證模塊之間的開通和關斷指令的延遲差異小于20ns，在導通600A額定電流時模塊之間的電流差異小于20A。這使得各模塊能夠可靠地運行，而無需進行電流降額，而電流降額在不太先進的驅動器解決方案中是必不可少的。
最多6個EconoDUAL 3或同等的功率模塊可以從同一個絕緣主控制(IMC)單元進行并聯，其外形比傳統產品更加緊湊。模塊適配門極驅動器(MAG)的外形尺寸與EconoDUAL模塊相匹配，每個EconoDUAL模塊具有兩個SCALE-2 ASIC（每個通道一個），以優化并聯對稱性、提高效率并增強保護。
對于較小的光伏組串裝置，SCALE-iDriver高效率單通道門極驅動器支持高達1200V和數百千瓦的IGBT和SiC-MOSFET逆變器設計，無需推動級。這樣將提高系統效率，客戶只需完成一個設計即可覆蓋整個產品陣容中不同額定功率的逆變器。開關頻率高達150kHz，可支持多種應用。
SCALE-iDriver門極驅動器采用Power Integrations的高速FluxLink?通信技術，可大幅增強絕緣性能。FluxLink是一項革新性的信號傳輸技術，它可取代光耦器和電容性或硅基方案，顯著提高可靠性并提供1200V加強絕緣。
器件還可在開關操作期間提供完整的短路保護(≤2μs)和過壓保護。
Q3：隨著風機價值的普遍下降，風電變流器將承擔巨大的壓力，作為功率器件廠商，將如何幫助風電行業客戶越過鴻溝？
小田切 亨---富士電機（中國）有限公司副總經理、半導體營業本部 本部長
我們認為風電變流器的大容量，高電壓化的趨勢不會改變。如之前所述，富士的RC-IGBT可以大幅降低結-殼熱阻，因此特別適用于具有低頻工況的機側變流器。例如富士2合1封裝的1700V/800A RC-IGBT模塊，在兩電平拓撲下，4并聯就可以實現1.5MW以上的輸出能力，在業界收到廣泛的歡迎。
從國外的風電市場看，950V系統的普及率越來越高，在未來使用2.xkV等級模塊的兩電平系統可能會有更大成本上的優勢。
Doug Bailey---Power Integrations市場營銷副總裁
與光伏市場一樣，風電行業也在提高現有硬件的利用率。因此，對于集中式和分散式部署，我們的SCALE-iFlex LT和 SCALE-iDriver解決方案可分別提供巨大的優勢，如前面兩個問題的回答中說述。對于集中式部署，即插即用型SCALE-iFlex™LT雙門極驅動器允許用戶從功率逆變器和變換器堆棧中節省每六個模塊中的一個；在分散式部署中，SCALE-iDriver門極驅動器使用戶能夠受益于最新的SiC技術，從而實現性能優化。
Q4：海上風電變流器對產品功率、可靠性、穩定性以及抗鹽霧性能有著苛刻的要求，請問貴公司方的最優解決案是什么？如何助力客戶提升產品品質？
陸思清---大中國區三菱電機半導體應用技術中心副經理
針對海上風電變流器，三菱電機在不斷豐富X系列標準封裝產品。目前4500V器件最大電流等級可達到1500A。較之前系列相同封裝尺寸產品，額定電流增加了25%。模塊內部芯片采用了新的邊緣終止技術，大大增加了有效導電面積，從而實現減少結殼熱阻，增大輸出電流的目的。同時，新的內部封裝提高了器件散熱、耐濕和防火性能，與海上風電變流器高可靠性的要求相吻合。
X系列標準封裝IGBT模塊
Doug Bailey---Power Integrations市場營銷副總裁
Power Integrations擁有多年經驗，在海上風電行業處于領先地位，因此我們的產品旨在滿足該市場的挑戰性需求，我們還可以幫助客戶改進設計。
我們的產品基于SCALE和SCALE-2技術設計而成，該項技術將許多功能集成到成熟的ASIC中。這樣可減少BOM元件數，提高可靠性。許多保護功能，例如高級有源鉗位（短路）和過壓保護，都已是標準配置。三防漆用于防止鹽霧等環境影響。我們的產品經過多種環境測試，廣泛適用于高可靠性應用，適合20至30年使用壽命的系統要求。我們還在研究能夠使用預測性維護技術的解決方案。
Q5：在儲能產業中，其電力轉換裝置與風電或者光伏有什么不同之處？貴公司主要的方案是什么，有什么優勢？您認為儲能變流器的未來趨勢是什么？
陳子穎---英飛凌科技工業功率控制事業部市場總監
儲能系統在能源供應鏈中有著廣泛應用，尤其可再生能源發電占比增加，提高電網的供電穩定性，隨時隨地按需提供電力更具挑戰性。
電池型儲能系統(ESS)技術用于配合太陽能或風能設施提供清潔能源，可以平衡發電和用電量，對停電情況瞬間作出相應。儲能系統可以是按裝的用戶側的分布式儲能，也可以安裝在發電和輸配電側。功率范圍從千瓦級到兆瓦級，能源需要充放雙向流動，采用的功率變換技術不盡相同。
儲能系統的功率變換系統(PCS)需要進行交流/直流和直流/交流雙向轉換，儲能狀態，電網對電池進行充電，饋能狀態，電池對電網放電。
英飛凌在能源生產、傳輸、功率轉換和電池管理方面擁有獨一無二的豐富經驗，在效率、創新、性能和最優成本方面是推動儲能解決方案(ESS)的優選合作伙伴。英飛凌分立式OptiMOS™、CoolMOS™、CoolSiC™ MOSFET和IGBT模塊、功能集成式EiceDRIVER™柵極驅動器IC、XMC™控制器和安全解決方案是各種儲能系統設計中的優選產品。
同時我們與客戶一起創新，為客戶創新的電路拓撲和功率半導體配置，設計定制化產品，我們為客戶，為應用開發最適合，最高效和最具性價比的產品。
賈鵬---安森美(onsemi)全球方案中心應用市場工程師
儲能變流器和光伏逆變器的最大的不同之處在于輸電方向，儲能變流器工作在電網或負載和電池之間，在需要的時候給蓄電池進行雙向充放電，而光伏逆變器是將太陽能輸出的直流電轉化為交流電的單向設備。本質上兩者都是基于電能轉換的電氣設備，對于功率器件的使用和要求也大致類似，所以兩者的發展趨勢也類似，都是往高能效方向發展。不過儲能變流器需要時刻關注電網狀態，所以在功率轉換部分會需要更復雜的控制策略。我認為碳化硅器件的使用是儲能變流器中功率器件的未來趨勢，碳化硅作為新一代半導體材料具有耐高壓、耐高溫、低損耗的特點，非常適合類似儲能變流器這樣的高頻大功率場景。安森美能夠為客戶提供端到端的碳化硅產品供應支持，以支持快速增長的市場。
圖：儲能方案框圖(橙色表示安森美可提供)
吳毅鋒---珠海稼未來科技有限公司CEO&CTO
風電由于其安裝方式等原因，機械部分成本非常高，只有在MW級別才具有綜合成本優勢，因此很難建設配套的儲能電站，多是采用直接并網的方式。光伏鋪設面積靈活，5-10kW就可以覆蓋家庭應用。光伏逆變器+雙向儲能變換器+電池系統，除了能夠利用光伏發電給電網供電，也能夠利用電池儲能特性，在電網斷電時實現家庭用電的自給自足。光伏儲能發電系統可以完全脫離對電網的依賴；如果利用鎵未來基于氮化鎵的雙向儲能逆變器方案可以智能的控制光伏發電在電網與電池端的功率分配，可實現能量在電網與電池間的雙向流動，平衡電網－光伏－用戶的供求差異，最終降低輸變電系統的傳輸損耗，實現錯峰用電，同時為用戶帶來最優的經濟效益。這也是未來實現雙碳目標的重要一環。
采用珠海鎵未來大功率氮化鎵的雙向儲能逆變系統，支持2kW~32kW的分布式儲能，且逆變轉換效率比IGBT方案高3-4%，提升了儲能系統的續航能力，保障家庭用電安全。
Doug Bailey---Power Integrations市場營銷副總裁
我們的經驗是，客戶重復使用現有的光伏或風電變流器。Power Integrations的解決方案與客戶首選的功率模塊和拓撲結構相匹配。例如，SCALE-iFlex產品系列適合100mmx140mm的新型雙通道模塊。
儲能解決方案(ESS)正與可再生能源系統同步發展，即使在沒有陽光或無風的情況下也能提供恒定的能量。如何儲存能量仍然是一個挑戰。由于對稀有材料的依賴，電池很昂貴，而且其壽命有限。因此，必須找到其他解決方案。氫儲能系統(Hydro-ESS)僅在有適當地形的情況下才可以安裝。目前，氫儲能系統具有非常大的吸引力。
Q6：由于缺芯現象，功率芯片面臨漲價以及產能不足的挑戰，貴公司對此有何應對措施？面對當嚴峻的待業環境，是否還有必要加大產品研發的投入？
陳子穎---英飛凌科技工業功率控制事業部市場總監
高能效和互聯世界對半導體的需求持續存在。我們正在大幅增加投資，2021財年投資16億歐元，2022財年計劃投資24億歐元。這些投資主要集中在擴大產能上，除了硅晶圓制造外，我們還在擴大SiC和GaN晶圓的產能，以便為快速增長的需求做好準備。
陸思清---大中國區三菱電機半導體應用技術中心副經理
針對需求暴增的SiC晶圓，三菱電機已全面實現4英寸到6英寸的切換，可以一定程度的緩解產能問題，并且對第三代SiC產品，也正在緊張有序地開發中。面對產能不足的挑戰，三菱電機在內部工廠持續進行產能擴增，同時與上游供應商進行多方面的合作。
蘇勇錦---羅姆半導體（深圳）有限公司技術中心高級經理
隨著全球能源問題的突顯，采取相應的對策已成為當務之急。SiC功率元器件有望成為電動汽車和工業設備節能的關鍵器件。羅姆自2010年開始量產SiC功率元器件（SiC SBD、SiC MOSFET）以來，一直在推進業內先進的技術開發，并較早實現了全SiC功率模塊和溝槽結構SiC MOSFET的量產。不僅如此，在制造方面，還建立了羅姆集團引以為豪的垂直統合型生產體制，并通過擴大晶圓的口徑和引進新設備來提高生產效率，同時還致力于減輕生產過程中造成的環境負荷。2021年，在ROHM Apollo Co.，Ltd.（總部位于日本福岡縣）筑后工廠投建了新廠房，進一步增強SiC功率元器件的產能。
小田切 亨---富士電機（中國）有限公司副總經理、半導體營業本部 本部長
我司的芯片制成及封裝生產都是自主完成的。但是由于上游供應商（晶圓廠商以及封裝材料廠商）的漲價和產能限制等影響，我司也面臨著成本上升的壓力和擴產計劃受限等挑戰。
但越是在困境中，就越不能放緩新產品的研發。只有在保證產品特性等不變甚至進一步提升的前提下，通過不斷地設計創新，工藝改良，成本優化等，開發出更具有競爭力的產品，企業才能得到健康發展并回饋給終端用戶。
胡少偉---南京芯長征科技有限公司市場部經理
首先，芯長征作為一家功率半導體芯片設計、模組封測、檢測設備自主可控的Virtual-IDM企業，在芯片制造環節上，我們是通過與國內一流代工廠達成戰略合作的方式實現了產業鏈的整合。正因為芯長征采用了該模式，所以缺芯現象對我們的沖擊會小一些。隨著不斷加強與戰略合作伙伴關系，芯長征今年的芯片產能將會比去年增長20%，采購成本的漲幅也會在可控范圍之內。
其次，通過技術的升級與迭代，也可以緩解當前大環境給企業帶來影響。先進技術的研發，不僅是為了在拓展應用領域的時候，使產品在不同的使用環境下滿足客戶需求， 也是為了采用新一代技術的產品在保證性能的前提下，減小芯片面積，從而提高芯片產量，降低產品成本。
不管是在多么嚴峻的環境下，芯長征在產品和技術上會不斷地尋求突破與完善，盡全力滿足客戶需求、市場需求。這也應了我們的那句口號，《一往無前長征路，自強不息中國芯》。
王思亮---成都森未科技有限公司COO
首先，從供應角度，森未科技在此前對新能源市場有一定預判，所以產能儲備，尤其是晶圓流片的產能，相對比較充分，可以很好地滿足當前以及潛在客戶對IGBT器件的需求。其次，從研發角度，森未科技作為設計公司，一直堅持以市場為導向，持續增加研發力度，雖然疫情對整個宏觀經濟帶來負面影響，但是我們堅持認為長期來看，新能源市場對高端功率半導體器件的需求一定會持續上漲，因此作為本土企業，我們有熱情也有使命加大對新能源市場的研發資源投入，以最快速度和最高要求向更多客戶提供高性能的國產化IGBT等功率半導體器件。
吳毅鋒---珠海稼未來科技有限公司CEO&CTO
隨著新能源的蓬勃發展，電動汽車及充電樁的需求進一步加大。近年大功率MOSFET、IGBT都處于短缺中，個別型號交期拉長到一年以上。對于以上困境，鎵未來持續擴充GaN HEMT產能，包括對晶圓廠追加投資，預計3年內GaN晶圓產能擴大4倍以上；同時與國內頭部封測代工廠深化合作，提升封測產能。另外，鎵未來已經啟動開發新一代技術平臺的方案，每張氮化鎵晶圓的芯片數量進一步提高從而顯著降低成本。我們認為只有持續的研發投入，才能保證鎵未來在大功率氮化鎵市場的領先地位，用性能更強的氮化鎵方案替代硅超級結方案，幫助客戶提升產品競爭力。
Doug Bailey---Power Integrations市場營銷副總裁
Power Integrations的生產有序進行，產能正常，我們不存在明顯的缺芯問題，并且我們相信我們有足夠的能力來滿足市場需求。
在電路板級別，Power Integrations絕不會使用劣質元件損害我們產品的質量和可靠性，而且由于我們采用自研ASIC技術，我們的BOM數量遠低于同行產品，從而在質量、性能和供應安全方面具有優勢。
Q7：隨著越來越多的功率半導體廠商加入新能源市場，行業競爭將進一步加劇，請問貴公采取怎么樣的發路線？請從技術、產品和市場定位方面談一下公司的戰略面局。
陳子穎---英飛凌科技工業功率控制事業部市場總監
我們持續在開發新一代的芯片技術，采用微溝槽技術的TRENCHSTOP? IGBT7產品系列已經全面建立，從單管封裝到大中小功率模塊全面覆蓋，在PCIM的展會上你能感覺到IGBT7的時代已經到來。
這是為各類應用定義的芯片，譬如按照電機驅動的過載條件定義，使得產品的輸出電流能力充分得到利用，系統的功率密度可以相應提高，降低系統成本。
英飛凌引領著SiC的工業應用市場，并以業界最廣泛和最可擴展的產品組合成功地推動SiC在汽車領域的應用。公司直接或通過分銷向3,000多個客戶供貨。20多年來，碳化硅（SiC）對英飛凌來說一直很重要。我們預計，本財年碳化硅業務將增長90%，到2025年左右銷售額將達到10億美元，占有30%的市場份額。
陸思清---大中國區三菱電機半導體應用技術中心副經理
隨著功率半導體市場競爭加劇，三菱電機將利用現有技術的優勢，致力于低功耗和高功率密度的模塊開發。
蘇勇錦---羅姆半導體（深圳）有限公司技術中心高級經理
在功率半導體方面，相比硅，碳化硅具有高效率等特性，因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續航里程并削減電池體積和成本。
作為碳化硅元器件的領軍企業之一，羅姆一直致力于先進產品的開發，早在2010年便于業界首次量產SiC MOSFET。在車載領域，羅姆于2012年推出了支持AEC-Q101認證的車載品，并在車載充電器（OBC）領域擁有很高的市場份額。此外，羅姆碳化硅產品還應用于車載DC/DC轉換器等領域。2020年6月，羅姆發布了業界先進的第4代低導通阻抗碳化硅MOSFET。與以往產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下，成功實現業界較高水平的低導通電阻。此產品非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統和工業設備的電源。業界預計2023年開始碳化硅在主機逆變器上的應用需求會增加，現在是重要的時間窗口，羅姆第四代碳化硅MOSFET已經獲得很多廠商的評估和詢價。
與此同時，以SiC功率器件為核心，羅姆提供各種充分發揮功率器件性能的模擬IC（絕緣柵極驅動器和電源IC等），提供適合各個應用的更佳解決方案。
小田切 亨---富士電機（中國）有限公司副總經理、半導體營業本部 本部長
良性的競爭對企業來說既是一種挑戰，也是一種激勵。在政府提出的“雙碳”戰略目標的指引下，新能源市場長期利好的背景下，憑借著多年的技術積累，豐富的行業應用經驗和良好的客戶口碑，我相信我司的產品在追求高可靠性及高效率的中高端市場有良好的應用前景。
賈鵬---安森美(onsemi)全球方案中心應用市場工程師
功率半導體市場加速發展，是受可持續發展和抗擊氣候變化的大趨勢所推動的。新能源也是安森美重點關注的細分領域之一，我們的戰略是以高度差異化的智能電源和智能感知技術，推動顛覆性創新，賦能可持續的生態系統。安森美的智能電源和智能感知方案提供相輔相成的力量和最先進的功能以達至最佳效果。我們的智能電源方案使客戶以更輕的重量超越功率范圍目標，以無與倫比的能效降低系統成本，以實現最高能效的太陽能電池組、工業電源、儲能系統和推進汽車功能電子化，賦能高能效的快速充電系統。
第三代半導體SiC技術，進入的門檻很高，安森美是全球屈指可數的少數幾家具備從晶體生長到晶圓制造再到成品封裝全產業鏈整合的供應商之一，這賦予了我們獨特的競爭優勢。此外，安森美正進一步優化供應鏈和制造網絡，包括對300mm晶圓廠和SiC的不斷擴產，以為戰略客戶提供長期的供應保證。
胡少偉---南京芯長征科技有限公司市場部經理
功率器件是否成功應用于特定系統，至少包含兩個維度：參數特性(“能不能用”)和可靠性特性(“能不能長期用”)。在解決”能不能用”的問題上，芯長征有一套成熟的研發體系，按照生產一代、研發一代、預演一代的體系進行產品的代際更新；比如目前采用G3技術開發的用于汽車的IGBT模塊，參數特性可直接對標業界主流的第七代產品；同時，我們在研發中的G4技術，功率密度將進一步提升，通過我們市場搜集，該技術目前國外同行均處于研發階段，在IGBT技術層面我們走在了前列。
在“能不能長期用”的問題上，芯長征做了以下布局，首先，劃分了不同等級的可靠性標準(分別針對車歸類、工規類、消費類)，實施分類管理；其次，在可靠性設備上做了大量通用設備的采購以及專用設備的開發；再次，更為重要的是，芯長征結合特定領域對可靠性的要求，以及標桿客戶的特定需求，制定可靠性項目和實驗方法，保證產品的長期可靠性。補充說明一點，第三代半導體SiC產品，芯長征也一直在布局，目前在芯片端以及產品的可靠性方面也取得了一定突破，待信息可以披露，及時分享給大家。
王思亮---成都森未科技有限公司COO
作為以芯片設計和銷售為主營業務的公司，森未科技的特點在于：首先，具有自主設計開發的芯片，截止目前已超過100款，適用于新能源市場的各個方面，目前已經應用于光伏、儲能、充電樁、電機驅動等各個細分領域。豐富的自主芯片庫使我們具備了應對市場競爭的最基礎和最關鍵的要素。其次，芯片技術的快速迭代。森未科技團隊專注于IGBT等功率半導體芯片研發，迄今已超過10年，從平面柵&NPT到現在的溝槽柵&FS，持續不斷地進行芯片技術迭代。針對新能源市場，森未科技已經開發完成并正在優化高速H系列和U系列產品，并有強有力的應用團隊協助與支持，將為新能源客戶提供更適合的解決方案和專業服務。
吳毅鋒---珠海稼未來科技有限公司CEO&CTO
在新能源市場，新興的功率半導體廠商還是以硅基為主，其產品主要是MOSFET和IGBT。我們堅信提高轉換效率和功率密度是新能源產業永恒的追求。氮化鎵方案的轉換效率和工作頻率比MOSFET高，遠超IGBT，符合行業發展趨勢。因此鎵未來從一開始的定位就是大功率氮化鎵器件制造商及高功率密度應用服務商。我們用柵極高可靠性、易于驅動的氮化鎵HEMT來滿足客戶對設計魯棒性的要求。在雙向儲能市場，大部分的氮化鎵方案采用的都是鎵未來的器件。我們也跟國內頭部的光伏企業、充電樁企業合作，發揮氮化鎵的高頻性能，開發更高功率密度的電源產品。
Doug Bailey---Power Integrations市場營銷副總裁
PI的理念是不斷提高自身產品的集成度。這不僅有利于提高產品性能、質量和可靠性，而且對于供應鏈管理中的組件分配也特別有益。Power Integrations將繼續開發具有定制功能集的市場特定產品，以滿足注重成本優勢的大批量市場以及高端應用的需求。
編者結語
在碳達峰、碳中和的雙碳目標指導下，新能源汽車、光伏、風電、儲能等新能源應用開始崛起，隨著電動汽車滲透率的快速提升、智能化領域需求的擴大以及新能源光伏、風電、儲能等產品的推廣普及，功率半導體業務有望進入較長時間的高速增長階段。
IGBT、SiC是新能源產業關鍵零部件逆變器的核心元件，隨著新能源市場的不斷發展落實，以IGBT、SiC為代表的功率半導體市場空間得以進一步打開。
當下，功率半導體已經成了風口，行業內一些技術領先的企業正在強勢崛起。
“路漫漫其修遠兮，吾將上下而求索”，我們相信，在功率半導體廠商最好的時代，國內外廠商必將披荊斬棘，通過創新技術以及更高品質的產品打開廣闊的應用市場，迎來新的發展契機。
PCIM Asia 2022 砥礪前行二十載 電能驅動新未來
作為全球電力電子頂尖展會PCIM Europe的姐妹展，PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會是一場在亞洲領先的電力電子國際展覽會及研討會。PCIM Asia 作為一個涵蓋組件、驅動控制、散熱管理及終端智能系統的全方位展示平臺，向業界人士呈現一條完整的產業價值鏈。來自工業電子、汽車電子、超大功率應用、智能家居、可再生能源管理等領域的買家齊聚一堂，參與這場年度電力電子盛會！
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