昨日，比亞迪半導體宣布，已于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模塊，模塊功率再創新高。
1200V 1040A高功率SiC模塊
Source：比亞迪半導體
據悉，相較于市場主流的SiC功率模塊，1200V 1040A SiC功率模塊成功克服了模塊空間限制的難題，在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應用于新能源汽車電機驅動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規級驗證等技術難題，充分發揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優勢。后續將匹配更高功率新能源汽車平臺應用。
功率模塊封裝中幾種上表面工藝的優劣對比
Source：比亞迪半導體
此外，該模塊采用了雙面燒結工藝，即SiC MOSFET上下表面均采用燒結工藝進行連接，具備更出色的工藝優勢與可靠性，相比傳統焊接工藝模塊，連接層導熱率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；芯片上表面采用燒結工藝，因燒結層具有的高耐溫特性，SiC模塊工作結溫可提升至175℃，試驗證明，其可靠性是傳統工藝的4倍以上。
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