2、Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：用氮化鎵的高電子遷移率晶體管
近年來，為確保災時通信以及完善地面通信網絡，作為地理位置較差地區(qū)的通信手段，衛(wèi)星通信備受矚目。尤其是與C波段（4～8 GHz）相比，對可實現(xiàn)高速通信的Ku波段衛(wèi)星通信的需求不斷增加。
另一方面，由于對車載、可運輸型操作以及安裝高度有相當?shù)囊螅虼耍苯佑绊懙孛嬲敬笮〉墓β史糯笃鞯男⌒洼p量化便成了亟待解決的問題。
此次，本公司開始發(fā)售業(yè)界頂級水平的Ku波段50W GaN HEMT 新產品。該產品具有50W輸出功率、功率附加效率30％、線性增益9dB的性能。
以往采用GaAs（砷化鎵）的功率放大器上的高頻器件數(shù)量由此可減去一半。此外，功率附加效率的改善和電路帶來的損耗降低等的效率改善，有助于功率放大器的小型與低功耗化。
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