富士電機(jī)一直致力于產(chǎn)品的技術(shù)革新以滿足電力電子裝置對(duì)于功率半導(dǎo)體模塊的小型化，低損耗及高可靠性應(yīng)用的需求。2021年富士電機(jī)推出了基于第七代IGBT模塊技術(shù)的新一代工業(yè)RC-IGBT（Reverse-ConductingIGBT)模塊產(chǎn)品系列。RC-IGBT將反向并聯(lián)連接的IGBT芯片和FWD芯片的功能集成到單個(gè)芯片上，工作時(shí)的等效散熱面積更大，可以大大降低結(jié)到殼熱阻。通過X系列芯片技術(shù)的低損耗和基于RC-IGBT的散熱性能的提高，逆變器的輸出功率密度得以進(jìn)一步提升一個(gè)等級(jí)。

RC-IGBT

富士電機(jī)提供利用世界最先進(jìn)技術(shù)的IGBT模塊，用于環(huán)保、節(jié)能和自動(dòng)化領(lǐng)域。同時(shí)，特別專注于可以為碳中和做出貢獻(xiàn)的電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電和太陽能發(fā)電領(lǐng)域，努力提升產(chǎn)品性能和質(zhì)量，以更好的服務(wù)客戶。此外，富士電機(jī)將在深圳地區(qū)擴(kuò)建IGBT工廠，靈活應(yīng)對(duì)交貨期。

功率半導(dǎo)體作為電力能源的核心部件，富士電機(jī)的功率器件在火力發(fā)電向風(fēng)電、太陽能等新能源發(fā)電轉(zhuǎn)型的過程中發(fā)揮了重要的作用。目前，富士電機(jī)提供第7代X系列和RC-IGBT，但未來還將開發(fā)第8代IGBT和SiC產(chǎn)品，并努力推進(jìn)碳中和，以進(jìn)一步提高性能。

富士電機(jī)早在2014年就推出了平面結(jié)構(gòu)的全碳化硅模塊應(yīng)用在本社電力電子部門研發(fā)的光伏逆變器（1MW)中。相比較于傳統(tǒng)的硅模塊，損耗可以降低7成左右，達(dá)到了當(dāng)時(shí)的業(yè)界最高效率98.8%，獲得了市場(chǎng)的廣泛好評(píng)。2018年推出了基于第一代溝槽柵結(jié)構(gòu)的全碳化硅模塊。開發(fā)中的第二代SiC-Mosfet，通過芯片減薄和溝槽間距微細(xì)化技術(shù)T單位面積的導(dǎo)通電阻比第一代降低了23%。另外模塊內(nèi)部的端子結(jié)構(gòu)也進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，大大降低了模塊的寄生電感。模塊的封裝外形將繼續(xù)保持與傳統(tǒng)的硅模塊的封裝兼容避免客戶在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上做重新設(shè)計(jì)，節(jié)省開發(fā)資源。預(yù)計(jì)將會(huì)在2023年進(jìn)行量產(chǎn)，主要面向EV、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、高壓變頻器等各類高壓應(yīng)用。

SiC模塊

保護(hù)地球環(huán)境，防止全球變暖，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)（SDGs）已經(jīng)是全世界的共識(shí)。中國(guó)政府也在2020年底提出了“2030年前實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰，2060年之前實(shí)現(xiàn)碳中和”的宏偉目標(biāo)。要實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，電力電子技術(shù)的技術(shù)革新和應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)大是至關(guān)重要的。富士電機(jī)預(yù)計(jì)未來工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)升級(jí)將會(huì)繼續(xù)深化進(jìn)行，光伏和風(fēng)力發(fā)電、電動(dòng)汽車等新能源產(chǎn)業(yè)將會(huì)保持持續(xù)的高速增長(zhǎng)。富士電機(jī)也將重點(diǎn)布局新能源領(lǐng)域，今后會(huì)進(jìn)一步加大在中大容量模塊的投入。2022年，富士電機(jī)計(jì)劃在保持工業(yè)IGBT模塊的穩(wěn)定增長(zhǎng)之外，還將加強(qiáng)電動(dòng)汽車IGBT模塊的生產(chǎn)和銷售。