電阻RAM (ReRAM)技術(shù)已經(jīng)被期待好幾年了。盡管它在幾家芯片制造商的路線(xiàn)圖上占有一席之地，而且是HPE基于憶阻器的“the Machine”項(xiàng)目等新型架構(gòu)的一部分，但它從未作為一項(xiàng)革命性的存儲(chǔ)技術(shù)獲得成功，盡管這個(gè)概念非常有意義。可制造性、成本和其他因素都起到了一定作用，但對(duì)于像Crossbar這樣把整個(gè)業(yè)務(wù)都押在ReRAM新興角色上的公司來(lái)說(shuō)，這一策略尚未獲得回報(bào)。而這家公司今天卻宣布了一項(xiàng)可能為ReRAM技術(shù)帶來(lái)新生命的安全技術(shù)。CrossBar公司表示，ReRAM技術(shù)可以用于創(chuàng)建物理不可克隆功能(PUF)密鑰，因?yàn)槊總�(gè)密鑰都是特定于單個(gè)IC的。這個(gè)想法得到了一些支持，包括來(lái)自北亞利桑那大學(xué)納米技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)安全小組的 Bertrand Cambou 博士。他說(shuō)，在評(píng)估了其他 PUF方法后，ReRAM 具有優(yōu)勢(shì)。“由于其獨(dú)特的隨機(jī)和電氣特性，與現(xiàn)有 PUF 技術(shù)相比，CrossBar 的 ReRAM PUF 可實(shí)現(xiàn)更安全的系統(tǒng)。” Cambou 在這里詳細(xì)討論了與 ReRAM 相比的其他方法。這是關(guān)于 PUF 如何也適用于 ReRAM 的有用描述。“基于電阻器件的統(tǒng)計(jì)分析，在 ReRAM 陣列上生成 PUF 的方法很有前景，”Cambou 說(shuō)。他補(bǔ)充說(shuō)：“電阻式 RAM 是一種用于設(shè)計(jì)安全應(yīng)用程序、PUF 和 RNG 的有吸引力的存儲(chǔ)器技術(shù)。與閃存相比，它功耗低、速度快、結(jié)構(gòu)緊湊，對(duì)側(cè)信道攻擊的敏感度更低。”公平地說(shuō)，研究 ReRAM 技術(shù)在 PUF 和安全性中的作用并不是一個(gè)新想法。2016 年，松下半導(dǎo)體集團(tuán)首次提出該概念，使用 40納米 ReRAM 測(cè)試芯片來(lái)測(cè)試該想法（取得了一定的成功）。盡管從 2016 年到現(xiàn)在進(jìn)行了研究，但是，就我們可以找到的用例而言，這仍然有點(diǎn)邊緣，就像 ReRAM 本身一樣，擁有所有正確的組件，但沒(méi)有找到進(jìn)入更廣泛市場(chǎng)的正確“it因素” .對(duì)于 CrossBar 來(lái)說(shuō)，這一定是令人沮喪的。在 ReRAM 未能成為內(nèi)存創(chuàng)新的下一個(gè)大事件之后，該公司發(fā)現(xiàn)自己處于另一個(gè)艱難的市場(chǎng)。PUF外殼上已經(jīng)有很多技術(shù)（都是使用SRAM，順便說(shuō)一句，便宜）。CrossBar 總裁 Mark Davis 表示，與基于 SRAM 的 PUF 方法相比，他們的方法允許更高程度的隨機(jī)性、更低的誤碼率，并且所有這些“都不需要模糊提取器、輔助數(shù)據(jù)或大量糾錯(cuò)碼”.就更廣泛的 ReRAM 而言，值得仔細(xì)研究（我們正在研究）為什么 ReRAM 從未起步。它可以擴(kuò)展到 10 納米以下，具有出色的閃存讀取延遲，并且寫(xiě)入速度比 NAND 快很多。它不需要任何超級(jí)花哨的制造魔法。那么為什么市場(chǎng)會(huì)忽略 ReRAM 呢？CrossBar 表示，就其現(xiàn)在的業(yè)務(wù)而言，它已在多個(gè) CMO 代工廠(chǎng)工藝節(jié)點(diǎn)上可用，以獲得更高的密度和更緊密集成的設(shè)備。順便說(shuō)一下，該公司通過(guò)向 SoC 和內(nèi)存公司授權(quán)作為現(xiàn)成的和定制的 IP 核來(lái)維持生計(jì)。它于 2010 年首次上市，在下一代內(nèi)存的早期，雖然安全應(yīng)用角度可能會(huì)幫助他們繼續(xù)與 ReRAM 斗爭(zhēng)，但很難說(shuō)未來(lái)幾年該技術(shù)的未來(lái)通常會(huì)是什么樣子。
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