大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。
由IGBT的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：
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開關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化
（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化） -
工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化
（例：電抗器或電容等的小型化）
主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。
現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型的模塊。
分為由SiC MOSFET + SiC SBD構(gòu)成的類型和只由SiC MOSFET構(gòu)成的類型兩種，可根據(jù)用途進(jìn)行選擇。
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