由于采用新型微溝槽技術，TRENCHSTOP IGBT7芯片的靜態損耗大大降低。在相同的電流等級下，TRENCHSTOP IGBT7芯片的通態電壓可以降低10%。這使得應用中的損耗大幅降低，尤其能使通常在中等開關頻率下運行的工業驅動的損耗大大降低。IGBT T7技術的飽和電壓（V CE(sat)）很低，并帶有發射極控制的第七代（EC7）二極管，該二極管的正向壓降（V F）可減小150 mV，同時還能提高反向恢復軟度。
TRENCHSTOP IGBT7器件具有優異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調整來達到特定于應用的最佳dv/dt和開關損耗。650V TRENCHSTOP IGBT7擁有應用所需的抗短路能力。此外，它還通過了基于JEDEC標準的HV-H3TRB（高壓高濕高溫反偏）試驗，證明該器件在常見的工業應用的高濕環境中具有良好的耐用性。
供貨情況
650 V TRENCHSTOP IGBT7分立式器件現已接受訂購。如欲了解更多信息，敬請訪問https://www.infineon.com/igbt7。
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