近年來，中美貿易戰不斷升級，進一步影響了全球產業鏈的完整性，美國通過限制核心技術和芯片出口，試圖壓制中國制造業的崛起，從中興事件，到華為孟晚舟扣押，美國步步緊逼，不僅限制了華為使用美國企業的芯片，同時還禁止全球代工廠為華為生產芯片。
“卡脖子”格局如何打破？
反觀華為”斷芯“的背后，技術落后容易受人牽制，只有自主研發才能打破“卡脖子”問題，美國科技領域在世界領先，尤其高端核心技術，包括芯片、先進材料加工、光刻技術等等。此次意見的發布，表明了政策對產業的大力支持，攻克核心技術，自強發展。
此次意見提出要加快主軸承、IGBT、控制系統、高壓直流海底電纜等核心技術部件研發。其中，IGBT是一種電力電子器件，廣泛應用于工業、電力、新能源、家電等多個行業，是變頻器、風電變流、光伏逆變器、電動汽車電控等產品的核心部件。
目前，國內IGBT大部分依賴進口，雖然國產企業也推出了相應的產品，但仍然無法與外來品牌相比，市場占用率不足。
雖然國內技術落后于國外，但全球一半的IGBT市場在中國，將成為本土廠商成長的最好驅動力。而近年來，政策大力推動產業發展，并帶動了資本市場，各方開始大力投資半導體。本土企業除了有可能在技術追上國際水平之外，在成本方面也是一個優勢發力點。此外，第三代半導體材料的突破發展，很有可能是本土廠實現超車的彎道。
國內廠商發起猛烈追趕！
其實，近年國內IGBT廠商沒有停止過追趕，例如比亞迪已經將半導體公司拆分開來，比亞迪半導體研發的車規級IGBT已經發展到第四代水平，在汽車領域市場占比20％左右，僅次于排在全球第一的英飛凌。比亞迪半導體實現了IGBT的設計、研發、制造及服務，已經成為領先的半導體IDM企業。
今年５月份，比亞迪半導體成功引入19億元戰略投資，隨后不久又增資8億元，兩輪資融資共27億元，引入了超過30家機構，目前公司估值已經超過百億，離沖擊上市又近了一步。
未來幾年，本土廠商有很大的機會，隨著國內用戶對本土產品的認可，逐步使用國產IGBT代替進口，國產功率半導體產業將進一步打開成長空間。根據國內IGBT的龍頭斯達半導體的半年報，公司上半年實現營收4.16億元，同期增長13.65%，歸屬于上市公司股東的凈利潤8067.11萬元，同期增長25.3%。
目前斯達半導體的IGBT產品已經超過600種，電壓級別涵蓋100Ｖ～3300Ｖ，主要用于變頻器、逆變焊機和UPS等產品，用戶包括有英威騰、匯川技術、歐瑞傳動、上海電驅動等。實際上，斯達半導體IGBT產品在2016年銷量就擠進了全球前十，而2018年上升到第八位。
今年兩會期間，民進中央提出將第三代半導體產業寫入“十四五”規劃，國內IGBT廠商正在迎來發展良機，紛紛加快布局功率半導體產業。今年7月份，中車時代半導體有限公司計劃建汽車用750V精細溝槽IGBT芯片試制項目，內容包括基于已有8英寸IGBT芯片生產線和模塊封裝線，開展750V精細溝槽柵IGBT芯片的技術開發，該項目己通過備案批復，總投資600萬元。
自2008年收購英國丹尼克斯半導體公司75%股權，中車時代電氣就掌握IGBT芯片技術研發、模塊封裝測試和系統應用，并在2014年投產8英寸IGBT專業芯片生產線。目前，中車時代電氣完成了從650伏到6500伏IGBT芯片研發，尤其在高壓IGBT芯片制造技術上實現了超越。
隨著新能源電力的發展以及汽車電氣化演進，國內IGBT的市場容量將不斷擴大，而留給本土廠商的空間十分巨大。上半年，賽晶電力電子實現營業收入6.88億元，同比增長9.6%，扣非利潤為7723萬元，同比增長52.5%。公司在輸變電領域投資力度加強，多個特高壓直流輸電和柔性直流輸電項目取得良好進展。
值得注意，賽晶電力電子在2019年上半年啟動了IGBT研發項目，而今年6月份位于嘉興市的賽晶IGBT功率半導體項目正式開工，其中一期項目占地34畝，規劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產線、5條IGBT模塊封裝測試生產線，建成后年產能達200萬件高品質IGBT模塊產品。
綜上所述，國產IGBT產業已經進入了一個長期拉力賽。相信在政策、市場和資本的推動下，陸續會有更多廠商進入，從上游材料到晶圓生產，再到IGBT的設計、制造等，一個龐大的產業鏈正在形成。目前，國內已經形成了一批有實力的廠商，除了上面提到的，還有中科君芯、宏微科技、無錫新潔能等，那么，國產IGBT將有望乘風破浪。
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