近年來(lái)，中美貿(mào)易戰(zhàn)不斷升級(jí)，進(jìn)一步影響了全球產(chǎn)業(yè)鏈的完整性，美國(guó)通過(guò)限制核心技術(shù)和芯片出口，試圖壓制中國(guó)制造業(yè)的崛起，從中興事件，到華為孟晚舟扣押，美國(guó)步步緊逼，不僅限制了華為使用美國(guó)企業(yè)的芯片，同時(shí)還禁止全球代工廠為華為生產(chǎn)芯片。
“卡脖子”格局如何打破？
反觀華為”斷芯“的背后，技術(shù)落后容易受人牽制，只有自主研發(fā)才能打破“卡脖子”問(wèn)題，美國(guó)科技領(lǐng)域在世界領(lǐng)先，尤其高端核心技術(shù)，包括芯片、先進(jìn)材料加工、光刻技術(shù)等等。此次意見(jiàn)的發(fā)布，表明了政策對(duì)產(chǎn)業(yè)的大力支持，攻克核心技術(shù)，自強(qiáng)發(fā)展。
此次意見(jiàn)提出要加快主軸承、IGBT、控制系統(tǒng)、高壓直流海底電纜等核心技術(shù)部件研發(fā)。其中，IGBT是一種電力電子器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、電力、新能源、家電等多個(gè)行業(yè)，是變頻器、風(fēng)電變流、光伏逆變器、電動(dòng)汽車電控等產(chǎn)品的核心部件。
目前，國(guó)內(nèi)IGBT大部分依賴進(jìn)口，雖然國(guó)產(chǎn)企業(yè)也推出了相應(yīng)的產(chǎn)品，但仍然無(wú)法與外來(lái)品牌相比，市場(chǎng)占用率不足。
雖然國(guó)內(nèi)技術(shù)落后于國(guó)外，但全球一半的IGBT市場(chǎng)在中國(guó)，將成為本土廠商成長(zhǎng)的最好驅(qū)動(dòng)力。而近年來(lái)，政策大力推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，并帶動(dòng)了資本市場(chǎng)，各方開(kāi)始大力投資半導(dǎo)體。本土企業(yè)除了有可能在技術(shù)追上國(guó)際水平之外，在成本方面也是一個(gè)優(yōu)勢(shì)發(fā)力點(diǎn)。此外，第三代半導(dǎo)體材料的突破發(fā)展，很有可能是本土廠實(shí)現(xiàn)超車的彎道。
國(guó)內(nèi)廠商發(fā)起猛烈追趕！
其實(shí)，近年國(guó)內(nèi)IGBT廠商沒(méi)有停止過(guò)追趕，例如比亞迪已經(jīng)將半導(dǎo)體公司拆分開(kāi)來(lái)，比亞迪半導(dǎo)體研發(fā)的車規(guī)級(jí)IGBT已經(jīng)發(fā)展到第四代水平，在汽車領(lǐng)域市場(chǎng)占比20％左右，僅次于排在全球第一的英飛凌。比亞迪半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了IGBT的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造及服務(wù)，已經(jīng)成為領(lǐng)先的半導(dǎo)體IDM企業(yè)。
今年５月份，比亞迪半導(dǎo)體成功引入19億元戰(zhàn)略投資，隨后不久又增資8億元，兩輪資融資共27億元，引入了超過(guò)30家機(jī)構(gòu)，目前公司估值已經(jīng)超過(guò)百億，離沖擊上市又近了一步。
未來(lái)幾年，本土廠商有很大的機(jī)會(huì)，隨著國(guó)內(nèi)用戶對(duì)本土產(chǎn)品的認(rèn)可，逐步使用國(guó)產(chǎn)IGBT代替進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)一步打開(kāi)成長(zhǎng)空間。根據(jù)國(guó)內(nèi)IGBT的龍頭斯達(dá)半導(dǎo)體的半年報(bào)，公司上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.16億元，同期增長(zhǎng)13.65%，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)8067.11萬(wàn)元，同期增長(zhǎng)25.3%。
目前斯達(dá)半導(dǎo)體的IGBT產(chǎn)品已經(jīng)超過(guò)600種，電壓級(jí)別涵蓋100Ｖ～3300Ｖ，主要用于變頻器、逆變焊機(jī)和UPS等產(chǎn)品，用戶包括有英威騰、匯川技術(shù)、歐瑞傳動(dòng)、上海電驅(qū)動(dòng)等。實(shí)際上，斯達(dá)半導(dǎo)體IGBT產(chǎn)品在2016年銷量就擠進(jìn)了全球前十，而2018年上升到第八位。
今年兩會(huì)期間，民進(jìn)中央提出將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃，國(guó)內(nèi)IGBT廠商正在迎來(lái)發(fā)展良機(jī)，紛紛加快布局功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。今年7月份，中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司計(jì)劃建汽車用750V精細(xì)溝槽IGBT芯片試制項(xiàng)目，內(nèi)容包括基于已有8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線和模塊封裝線，開(kāi)展750V精細(xì)溝槽柵IGBT芯片的技術(shù)開(kāi)發(fā)，該項(xiàng)目己通過(guò)備案批復(fù)，總投資600萬(wàn)元。
自2008年收購(gòu)英國(guó)丹尼克斯半導(dǎo)體公司75%股權(quán)，中車時(shí)代電氣就掌握IGBT芯片技術(shù)研發(fā)、模塊封裝測(cè)試和系統(tǒng)應(yīng)用，并在2014年投產(chǎn)8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線。目前，中車時(shí)代電氣完成了從650伏到6500伏IGBT芯片研發(fā)，尤其在高壓IGBT芯片制造技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了超越。
隨著新能源電力的發(fā)展以及汽車電氣化演進(jìn)，國(guó)內(nèi)IGBT的市場(chǎng)容量將不斷擴(kuò)大，而留給本土廠商的空間十分巨大。上半年，賽晶電力電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入6.88億元，同比增長(zhǎng)9.6%，扣非利潤(rùn)為7723萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)52.5%。公司在輸變電領(lǐng)域投資力度加強(qiáng)，多個(gè)特高壓直流輸電和柔性直流輸電項(xiàng)目取得良好進(jìn)展。
值得注意，賽晶電力電子在2019年上半年啟動(dòng)了IGBT研發(fā)項(xiàng)目，而今年6月份位于嘉興市的賽晶IGBT功率半導(dǎo)體項(xiàng)目正式開(kāi)工，其中一期項(xiàng)目占地34畝，規(guī)劃建設(shè)2條IGBT芯片背面工藝生產(chǎn)線、5條IGBT模塊封裝測(cè)試生產(chǎn)線，建成后年產(chǎn)能達(dá)200萬(wàn)件高品質(zhì)IGBT模塊產(chǎn)品。
綜上所述，國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了一個(gè)長(zhǎng)期拉力賽。相信在政策、市場(chǎng)和資本的推動(dòng)下，陸續(xù)會(huì)有更多廠商進(jìn)入，從上游材料到晶圓生產(chǎn)，再到IGBT的設(shè)計(jì)、制造等，一個(gè)龐大的產(chǎn)業(yè)鏈正在形成。目前，國(guó)內(nèi)已經(jīng)形成了一批有實(shí)力的廠商，除了上面提到的，還有中科君芯、宏微科技、無(wú)錫新潔能等，那么，國(guó)產(chǎn)IGBT將有望乘風(fēng)破浪。
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