器件采用PowerPAK® SO－8單體封裝，柵極電荷與導通電阻乘積優值系數達到同類產品最佳水平
 

        賓夕法尼亞、MALVERN —2020年8月17日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，首度推出－30 V p溝道功率MOSFET－－－SiRA99DP，10 V條件下導通電阻降至1．7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP導通電阻達到業內最低水平，采用熱增強型6．15 mm x 5．15 mm PowerPAK® SO－8單體封裝，專門用來提高功率密度。

        日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43％，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，柵極電荷與導通電阻乘積，即開關應用中MOSFET的重要優值系數 （FOM） 為185 mW＊nC，達到同類產品最佳水平。
 

        器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器、電池和通用電源開關、反向極性電池保護、 OR－ing功能，以及電信設備、服務器、工業PC和機器人的電機驅動控制。SiRA99DP減少并聯器件數量，換句話說，加大單個器件電流，從而提高功率密度，節省這些應用的主板空間。此外，作為p溝道MOSFET，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。
 

        這款MOSFET經過RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
 

        SiRA99DP現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為12周，視市場情況而定。