強健的HIP221x驅動器具備高速和高壓特性
延續瑞薩MOSFET驅動器在工業和消費應用領域的25年輝煌
業界領先的高可靠高性能100V半橋MOSFET驅動器
2020 年 6 月 29 日，日本東京訊 - 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團（TSE：6723）今日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅動器的新一代引腳兼容升級產品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機驅動器設計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅動器供電。
HIP221x驅動器專為嚴苛工作條件下的可靠運行而設計，其高速、高壓HS引腳可承受高達-10V的持續電壓，并以50V/ns速度轉換。全面的欠壓保護與HIP2210的可編程防擊穿保護協同工作，以確保其驅動的MOSFET不會因電源或其它外部故障而損壞。瑞薩HIP221x驅動器具有強大的3A驅動拉電流和4A驅動灌電流，以及極快的15ns典型傳播延遲和2ns典型延遲匹配，是高頻開關應用的最佳解決方案。HIP2210和HIP2211兩款產品均旨在搭配瑞薩先進的DC/DC及無刷電機驅動系統中的微控制器而設計。
瑞薩電子工業與通信事業部副總裁Philip Chesley表示：“創新的HIP221x延續了我們在Harris智能電源（HIP）半橋驅動器研發領域25年行業領先的輝煌歷史。強大且穩健的抗噪性、超低傳輸延遲及高系統效率是我們的客戶對整個HIP半橋MOSFET驅動器系列所依賴的關鍵特性。”
HIP2211和HIP2210的關鍵特性
▪ 15VDC自舉電源最大電壓（最大絕對值為120V HS）可支持100V半橋架構
▪ 寬VDD電壓，工作范圍為6V至18V（最大絕對值為20V）
▪ HS引腳可承受高達-10V的電壓和50V/ns電壓轉換速率
▪ 集成0.5Ω典型自舉二極管，無需使用外部分立二極管
▪ VDD和引導UVLO防止低柵極電壓驅動NFET
▪ 通過RDT引腳（僅適用于HIP2210）的可調死區時間延遲可防止擊穿，單電阻可調范圍為35ns至350ns
供貨信息
HIP2211和HIP2210現可從瑞薩電子全球分銷商處購買，兩款產品1,000片批量時單價均為1.3美元。HIP2211采用8引腳SOIC和10引腳4mm x 4mm TDFN封裝。了解有關產品及評估板的更多信息，請訪問www.renesas.com/products/HIP2211。
HIP2210采用10引腳4mm x 4mm TDFN封裝。了解有關產品及評估板的更多信息，請訪問www.renesas.com/products/HIP2210。
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