IGBT，被譽為功率半導體領域“皇冠上的明珠”，是行業內尖端技術的代表。擁有出色的IGBT技術和產品，已經成為一個國家功率半導體產業實力和技術水平的象征，也是左右眾多新興技術和產業發展的關鍵因素之一。
開展IGBT技術自主研發，打造中國高端IGBT產品，賽晶并不是一時地心血來潮，而是源于一個埋藏了18年的夢想。
起源
ABB集團，自1988年ABB集團成立之后，IGBT一直是其研究和發展的重點。擁有獨創的SPT+、SPT++芯片技術，以及LoPak、HiPak、StakPak 等多個系列1700V至6500V豐富的模塊產品，是當今世界少數幾家掌握高端IGBT 芯片和模塊技術的行業領軍企業之一。
項頡，賽晶集團的創始人，現任董事會主席，1999年至2001年期間，便在瑞士蘭茲伯格的ABB半導體公司工作。期間，項頡不但深入生產第一線熟悉了IGBT的每一個制造環節，還參與了設計研發、項目管理、市場分析等多個崗位的工作，從而對IGBT的技術和產業有了深入的理解。
正是得益于在ABB半導體公司的工作經歷，項頡近距離接觸了世界頂級公司在IGBT領域的核心技術。項頡在被國外技術的先進性所震撼的同時，也深深地認識到了中國在該領域的落后和差距。一顆夢想的種子，悄無聲息的在項頡心中種下 - 一定要想辦法打造屬于中國自己的IGBT技術和產品。
懷揣這樣的心愿，2002年初，項頡回國創立了賽晶集團。然而，技術研發、企業發展僅憑著熱血和情懷是不夠的，IGBT的技術門檻有多高、產業發展有多難，項頡是深有體會的。因此，項頡帶領著賽晶集團為實現IGBT的夢想，開始默默地積蓄力量。從創業之初的一窮二白到今天的年銷售額超12億元，從代理銷售業務起步到今天的國際一流自主研發實力，18年后，那一顆夢想的種子終于到了破土而出的時刻。
誓師
今天的中國，正處于在戰略轉型的關鍵期和決戰期，電動汽車、新能源、軌道交通、智能電網、海洋工程、前沿物理研究等一大批決定中國未來的關鍵技術、戰略新興產業的突破和發展，都離不開IGBT - 這項關鍵功率半導體器件的支撐和助力。然而至今，中國自主IGBT技術仍然遠落后于國外，亟待取得突破，為國家的發展保駕護航。
時勢造英雄，當仁不讓。
今天的賽晶，已經成為了功率半導體及其配套器件國產化自主研發的先鋒。國內首臺自主技術陽極飽和電抗器、大功率電力電子電容器，國際領先的數字式IGBT驅動、層疊母排、固態交直流斷路器、脈沖電源、阻抗測量等一大批高新技術產品，是賽晶堅持“研發驅動發展”戰略而收獲的豐碩成果。
今天的賽晶，已擁有國際一流的技術研發實力。賽晶已經建立了國內三大研發中心、海外三大研發團隊的研發體系。其中，海外IGBT研發團隊的成員，均來自歐洲一流企業，不僅掌握國際最先進的技術理念，也擁有國內稀缺的大規模制造工藝和經驗。可以說，IGBT研發，賽晶是“站在巨人的肩膀上”起步。
不忘初心，方得始終。
今天，終于到了項頡和賽晶去實現夢想的時刻。我們有信心、有決心研發出屬于中國自己的高端IGBT技術和產品，讓那一顆夢想的種子，開出最燦爛的花朵，結出最豐碩的果實。
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