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    中科君芯:專注“芯”研發(fā),向中大功率市場挺進(jìn)

    已有43961次閱讀2019-04-16標(biāo)簽:
            4月9日-11日,由工業(yè)和信息化部、深圳市人民政府共同主辦的第七屆中國電子信息博覽會(huì)在深圳會(huì)展中心盛大舉辦。這次展會(huì)集結(jié)了智慧城市、智慧家居、5G、物聯(lián)網(wǎng)、鋰電新能源、智能制造、電子元器件等領(lǐng)域的諸多創(chuàng)新成果,向外界展示了中國電子信息產(chǎn)業(yè)的繁榮與無限活力。其中,芯片作為電子信息的基石,其科技含量高、全球需求旺盛,同時(shí)由于存在很高的技術(shù)壁壘,研發(fā)周期長,使得在國際上掌握其核心技術(shù)的公司屈指可數(shù),一直受到各國的廣泛關(guān)注。江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡稱“中科君芯”)是國內(nèi)一家致力于IGBT芯片研發(fā)設(shè)計(jì)的領(lǐng)先企業(yè),這次展會(huì)向國內(nèi)外參展觀眾展示了公司自主研發(fā)的IGBT芯片、單管、模塊等系列產(chǎn)品。
     
    展位現(xiàn)場
     
            IGBT是電子電力的主要核心部件之一,具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關(guān)等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域,覆蓋工業(yè)領(lǐng)域的方方面面。在國內(nèi)能夠掌握從自主設(shè)計(jì)到生產(chǎn)工藝流程的IGBT芯片企業(yè)為數(shù)不多,中科君芯是其中的佼佼者,其前身是中國科學(xué)院微電子研究所、中國物聯(lián)網(wǎng)研究與發(fā)展中心以及成都電子科大的三個(gè)研究團(tuán)隊(duì),最早始于上世紀(jì)80年代。基于深厚的原始積累與技術(shù)沉淀,中科君芯在2011年成立之初,就已經(jīng)是一家研發(fā)實(shí)力雄厚的公司,目前形成具有市場競爭力的產(chǎn)品有650V、1200V、1700V系列IGBT芯片,并擁有222項(xiàng)專利,其中PCT專利12項(xiàng)。正因?yàn)閷?duì)產(chǎn)品從設(shè)計(jì)、研發(fā)到生產(chǎn)流程都做到了完全的把控,所以更能夠了解產(chǎn)品的性能,保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和品質(zhì),受到用戶好評(píng)。
     
            從去年開始,中科君芯已經(jīng)研發(fā)設(shè)計(jì)出覆蓋全電壓段、全電流段的IGBT芯片,并且在對(duì)芯片的性能進(jìn)行持續(xù)優(yōu)化,力圖為客戶提供最優(yōu)性價(jià)比的產(chǎn)品。目前產(chǎn)品已經(jīng)全面面向感應(yīng)加熱、逆變焊機(jī)、通用變頻、伺服、新能源汽車等應(yīng)用領(lǐng)域。
     
    IGBT系列產(chǎn)品
     
     
            據(jù)中科君芯的現(xiàn)場工作人員介紹,IGBT技術(shù)方面,公司目前已開發(fā)出溝槽場終止(Trench -FS)電壓650V-6500V、單芯片電流8A-400A全系列IGBT芯片,成功解決了溝槽柵溝槽成型技術(shù)、載流子增強(qiáng)技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。
     
            FRD技術(shù)方面,和IGBT同步開發(fā),公司已成功研發(fā)出適合大功率工業(yè)級(jí)和車用級(jí)模塊的FRD芯片,成功解決了少子壽命控制與高溫漏電協(xié)調(diào)設(shè)計(jì),陽極注入效率和歐姆接觸的優(yōu)化設(shè)計(jì),反向恢復(fù)時(shí)間與恢復(fù)軟度的優(yōu)化設(shè)計(jì)等核心技術(shù)。
     
            由于近些年國家陸續(xù)發(fā)布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》和《中國制造2025》等政策,半導(dǎo)體芯片需求激增。據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢出具的最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》表明,因2018年MOSFET、IGBT等產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),使得中國功率半導(dǎo)體市場大幅增長12.76%,達(dá)到2591億元,到2019年,中國半導(dǎo)體市場有望繼續(xù)保持雙位數(shù)增長態(tài)勢,達(dá)到12.17%至2907億元。
     
            不過,正是因?yàn)槿ツ暧w凌、三菱、富士等幾家壟斷了IGBT芯片市場的巨頭出現(xiàn)缺貨漲價(jià)的時(shí)機(jī),讓國內(nèi)終端廠商們認(rèn)識(shí)到國產(chǎn)IGBT的優(yōu)勢,大膽嘗試使用,且得到了正向的良好反饋,讓中科君芯等芯片企業(yè)打入這一缺口。今后,中科君芯將向中、大功率的工業(yè)變頻、伺服驅(qū)動(dòng)市場挺進(jìn)。而在中大功率的IGBT應(yīng)用領(lǐng)域,目前國內(nèi)廠商還鮮少涉及,一直被日本三菱、東芝、英飛凌等少數(shù)歐美系、日系企業(yè)占領(lǐng)著。而中科君芯的1200V的中大功率IGBT芯片已經(jīng)通過驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。在如今國產(chǎn)替代進(jìn)口的政策驅(qū)動(dòng)下,公司有信心與英飛凌、三菱、富士等芯片巨頭競爭,讓國產(chǎn)芯片走進(jìn)“尋常人家”,為“中國芯”的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
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