4月9日-11日，由工業和信息化部、深圳市人民政府共同主辦的第七屆中國電子信息博覽會在深圳會展中心盛大舉辦。這次展會集結了智慧城市、智慧家居、5G、物聯網、鋰電新能源、智能制造、電子元器件等領域的諸多創新成果，向外界展示了中國電子信息產業的繁榮與無限活力。其中，芯片作為電子信息的基石，其科技含量高、全球需求旺盛，同時由于存在很高的技術壁壘，研發周期長，使得在國際上掌握其核心技術的公司屈指可數，一直受到各國的廣泛關注。江蘇中科君芯科技有限公司（以下簡稱“中科君芯”）是國內一家致力于IGBT芯片研發設計的領先企業，這次展會向國內外參展觀眾展示了公司自主研發的IGBT芯片、單管、模塊等系列產品。
展位現場
IGBT是電子電力的主要核心部件之一，具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關等特點，被廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源及智能電網等領域，覆蓋工業領域的方方面面。在國內能夠掌握從自主設計到生產工藝流程的IGBT芯片企業為數不多，中科君芯是其中的佼佼者，其前身是中國科學院微電子研究所、中國物聯網研究與發展中心以及成都電子科大的三個研究團隊，最早始于上世紀80年代。基于深厚的原始積累與技術沉淀，中科君芯在2011年成立之初，就已經是一家研發實力雄厚的公司，目前形成具有市場競爭力的產品有650V、1200V、1700V系列IGBT芯片，并擁有222項專利，其中PCT專利12項。正因為對產品從設計、研發到生產流程都做到了完全的把控，所以更能夠了解產品的性能，保證產品的穩定性和品質，受到用戶好評。
從去年開始，中科君芯已經研發設計出覆蓋全電壓段、全電流段的IGBT芯片，并且在對芯片的性能進行持續優化，力圖為客戶提供最優性價比的產品。目前產品已經全面面向感應加熱、逆變焊機、通用變頻、伺服、新能源汽車等應用領域。
IGBT系列產品
據中科君芯的現場工作人員介紹，IGBT技術方面，公司目前已開發出溝槽場終止（Trench -FS）電壓650V-6500V、單芯片電流8A-400A全系列IGBT芯片，成功解決了溝槽柵溝槽成型技術、載流子增強技術、晶圓減薄技術、背面高能離子注入技術、背面激光退火技術等關鍵工藝技術。
FRD技術方面，和IGBT同步開發，公司已成功研發出適合大功率工業級和車用級模塊的FRD芯片，成功解決了少子壽命控制與高溫漏電協調設計，陽極注入效率和歐姆接觸的優化設計，反向恢復時間與恢復軟度的優化設計等核心技術。
由于近些年國家陸續發布了《國家集成電路產業發展推進綱要》和《中國制造2025》等政策，半導體芯片需求激增。據全球市場研究機構集邦咨詢出具的最新《中國半導體產業深度分析報告》表明，因2018年MOSFET、IGBT等產品持續缺貨和漲價，使得中國功率半導體市場大幅增長12.76%，達到2591億元，到2019年，中國半導體市場有望繼續保持雙位數增長態勢，達到12.17%至2907億元。
不過，正是因為去年英飛凌、三菱、富士等幾家壟斷了IGBT芯片市場的巨頭出現缺貨漲價的時機，讓國內終端廠商們認識到國產IGBT的優勢，大膽嘗試使用，且得到了正向的良好反饋，讓中科君芯等芯片企業打入這一缺口。今后，中科君芯將向中、大功率的工業變頻、伺服驅動市場挺進。而在中大功率的IGBT應用領域，目前國內廠商還鮮少涉及，一直被日本三菱、東芝、英飛凌等少數歐美系、日系企業占領著。而中科君芯的1200V的中大功率IGBT芯片已經通過驗證，實現了批量生產。在如今國產替代進口的政策驅動下，公司有信心與英飛凌、三菱、富士等芯片巨頭競爭，讓國產芯片走進“尋常人家”，為“中國芯”的發展貢獻力量。
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