※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管
1、通過采用碳化硅，有利于降低系統損耗和體積
-
通過使用碳化硅大幅降低開關損耗，降低約21％的電力損耗※3
-
實現高速開關，有利于縮小電抗器等配套零部件的體積
※3 與內置PFC電路的三菱電機產品功率半導體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si（硅）二極管相比
2、通過采用JBS結構，提高可靠性
-
采用pn結與肖特基結相結合的JBS※4結構
-
通過JBS結構提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
3、由5個產品構成的產品陣容可對應各種各樣的用途
-
除了通常的TO-247封裝外，還采用了擴大絕緣距離的TO-247-2封裝
-
除民用品外還可對應工業等各種各樣的用途
-
產品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產品（BD20120SJ），也可對應車載用途
※5 Automotive Electronics Council：車載電子零部件質量規格
新產品發售概要
銷售目標
近年來，出于節能環保的考慮，人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實現高速開關的功率半導體的期待逐漸高漲。三菱電機自2010年起陸續推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導體模塊，廣泛應用于空調以及工業機械、鐵路車輛的逆變器系統等，為降低家電及工業機械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻。
在這一背景下，此次將發售采用了SiC的功率半導體“SiC-SBD”。在電源系統中應用“SiC-SBD”，將為降低客戶的系統耗電量，縮小體積做出貢獻。
主要規格
※7 8.3msec, sine wave
SiC-SBD系列的產品陣容
粗框內為本次的新產品。
共0條 [查看全部] 網友評論