各種功率級別的IGBT模塊、MiniSKiiP、SEMITOP和SKiM 4模塊中將提供三電平功能 / 兩種三電平拓撲結構 / TNPC拓撲結構可用于900VDC和480VAC的SKIM 4 / NPC結構拓撲可用于1500VDC和1000VAC的 MiniSKiiP 和SEMITOP
紐倫堡，2012年4月12日 - 電力電子領域的全球領導者賽米控公司將增加三電平拓撲結構產品。三電平技術水平擁有較低的失真度，從而降低對濾波的要求。這是一個非常重要的特點，特別在對于需要干凈輸出電壓和輸出電流波形的應用中，如不間斷電源系統(tǒng)（UPS）及太陽能逆變器。現(xiàn)在產品范圍將包括MiniSKiiP、SEMITOP和SKiM 4 IGBT模塊。
無銅底板SKiM4模塊是額定電流在200A至600A范圍內最強大的IGBT模塊。無需幾個模塊并聯(lián)，就可以實現(xiàn)高達250KVA的容量。 650V和1200V的SKiM4模塊采用TNPC技術，1200V的采用NPC拓撲結構。采用TNPC結構的模塊可提供高達900VDC和480VAC的電壓，而那些采用NPC拓撲的結構可將歐盟低電壓指令推至其1500VDC和1000VAC的限制。
對于更小的電流，有無銅底板、采用彈簧接觸的IGBT MiniSKiiP模塊可供選擇。這些模塊采用無焊接安裝，額定電流在75A至200A之間，反向電壓為650V，使得最大功率可達85kVA。 功率密度為4.9A/cm2，與競爭對手的產品相比是非常高，使得該模塊是緊湊型系統(tǒng)的理想選擇。這些模塊的另一個優(yōu)點是模塊、散熱器和控制器板之間的連接采用一個螺絲連接。
與無焊接MiniSKiiP模塊對應的產品是SEMITOP，一款高12mm并且和焊接在電源電路板上的模塊，用于額定電流在20A-150A之間的應用。這些無銅底板、免焊接安裝的模塊采用NPC拓撲結構，可提供高達65kVA的功率。額定電壓為600V。
SEMITOP和MiniSKiiP模塊可用于緊湊結構的原因是無需母排。
關于三電平技術
三電平技術本來是用來控制那些比半導體器件反向電壓高的電壓。現(xiàn)在這項技術的主要目的是在輸出電壓的波形方面，現(xiàn)在，兩邊不再是全正或全負的直流母線電壓，而是直流母線電壓的一半。
在三電平技術中，多級波形比傳統(tǒng)采用兩電平結構的情況下更接近于理想的正弦波。三電平技術的最大優(yōu)勢是較低的失真因數(shù)，從而降低對濾波的要求。這一點對于需要干凈輸出電壓和輸出電流波形的應用來說尤為重要，如不間斷電源系統(tǒng)（UPS）及太陽能逆變器。
關于 NPC和T-NPC拓撲結構
SEMIKRON采用兩種不同的三電平拓撲結構來生產功率模塊：NPC（中點鉗位）和TNPC（T型中點鉗位），兩者各有其自身的優(yōu)勢。
NPC技術的優(yōu)勢在于，它允許整體直流母線電壓高于每個半導體芯片的阻斷電壓。這使得太陽能逆變器制造商可以將高達1500VDC的直流母線電壓應用到功率模塊中，而相比之下，兩電平模塊中的最高直流母線電壓約為1100VDC。
在故障管理方面，雖然兩種拓撲結構都能夠實現(xiàn)高品質的輸出電壓波形，但NPC結構沒有TNPC結構復雜。另一方面，TNPC模塊是略比NPC模塊強大，因為它們只需要8個而不是10個不同的半導體芯片。
圖：三電平NPC和三電平TNPC拓撲結構，兩種結構在賽米控相位模塊中都使用。
關于賽米控：
賽米控是一家國際領先的功率半導體制造商。成立于1951年，總部位于德國的賽米控公司是一家在全球有3900名員工的家族式企業(yè)。賽米控遍布全球的36家子公司及分別設在中國、巴西、法國、德國、印度、意大利、韓國、斯洛伐克、南非和美國的生產基地，能夠為客戶提供快速高效的現(xiàn)場服務。
賽米控是芯片、分離半導體器件、晶體管、二極管和晶閘管功率模塊、功率集成和系統(tǒng)的一站式供應商，產品用于工業(yè)驅動、風能和太陽能發(fā)電、混合和電動汽車、火車工業(yè)以及電源。賽米控是二極管/晶閘管半導體市場的領導者，并且占有全球30％的市場份額。(資料來源: IMS-Research „The worldwide market for power semiconductor discretes and modules“ 2011).
在歐洲，賽米控接管了一家創(chuàng)新的控制系統(tǒng)開發(fā)專家Compact Dynamics公司的大部分業(yè)務; 又與一家特定應用的控制技術供應商drivetek組成了合資企業(yè)；同時又全權接管了主力開發(fā)和生產逆變器、直流/直流轉換器和充電器的VePOINT公司。這些行動都充分表現(xiàn)了賽米控在混合和電動汽車市場發(fā)展的決心和針對該市場開發(fā)和生產功率半導體的貢獻。
最近，賽米控開發(fā)出一種革命性的功率半導體封裝技術，摒棄了綁定線、焊接和導熱涂層。新的SKiN技術采用柔性箔片和燒結連接，而非綁定線、焊接和導熱涂層。這帶來了更高的電流承載能力和10倍的功率循環(huán)能力 ¾ 這對于過去使用限制性綁定線連接的電力電子技術來說是不可想象的。因此，采用該技術的逆變器體積可以減少了35％。這種可靠且節(jié)省空間的技術是汽車和風力發(fā)電應用的最佳解決方案。
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