華潤上華已具備60μm以上的IGBT薄片加工能力。此次開發(fā)量產(chǎn)的600V Planar NPT IGBT工藝產(chǎn)品，其背面減薄后圓片厚度僅100μm。該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于UPS系統(tǒng)(不間斷電源)、太陽能逆變器、變頻家電、工業(yè)變頻驅(qū)動和電焊機等市場。華潤上華的1700V Planar NPT IGBT工藝平臺更解決了高壓IGBT存在的高溫漏電問題，產(chǎn)品主要應(yīng)用于變頻器、風(fēng)力變流器和智能電網(wǎng)等市場。
華潤上華IGBT工藝平臺的布局立足于滿足節(jié)能減排的需求，支持中國在十二五期間新能源政策如太陽能發(fā)電和風(fēng)能發(fā)電以及智能電網(wǎng)的發(fā)展，同時切合國內(nèi)電焊機、變頻器、UPS等巨大的市場需求。華潤上華近兩年在IGBT工藝平臺的布局已經(jīng)取得不少豐碩成果。1200V Planar 和Trench NPT IGBT已于2011年初量產(chǎn)；600V Trench PT 以及600V 和1700V Planar NPT IGBT平臺已于近期開發(fā)完成；2500V Planar NPT IGBT的靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)已經(jīng)達(dá)到設(shè)計目標(biāo)，并通過預(yù)考核。同時，600V 和 1700V Trench NPT IGBT、3300V/4500V Planar FS IGBT靜態(tài)參數(shù)DC如V(BR)CES 和VCE(on) 也已經(jīng)達(dá)到預(yù)期結(jié)果。
華潤上華作為國內(nèi)首家以晶圓代工模式立足中國半導(dǎo)體市場的產(chǎn)業(yè)先鋒，自2005年DMOS工藝量產(chǎn)以來，成功開發(fā)了量產(chǎn)6英寸高壓平面柵400-700V MOSFET、6英寸中壓平面柵50-200V MOSFET、8英寸低壓溝槽柵20-40V MOSFET、8英寸中壓溝槽柵50-80V MOSFET等豐富的功率器件工藝平臺。近兩年在IGBT各類工藝平臺的開發(fā)成果，使得華潤上華在功率器件代工的工藝平臺更為全面，將進一步促進國內(nèi)功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提高節(jié)能減排關(guān)鍵部件的國產(chǎn)化水平和比重。
