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        富士電機推出業界最高水平低損耗“Super J-MOS系列”MOSFET


        上市目的
        如今,人們對地球環境越來越關心,在不斷清潔化的IT領域及新能源等領域中,可實現高效電力變換的功率半導體受到廣泛矚目。其中,MOSFET注1作為電力轉換過程所使用的主要裝置,對其降低損耗的要求越來越高。
        此次,富士電機推出的Super J-MOS系列產品,采用具有新開發的低通態電阻特性的SJ結構注2,可大幅度地降低損耗。據此,可通過提高設備的電力變換效率減少耗電,為實現低碳社會作貢獻。
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