賽晶電力電子集團有限公司

我們設計、制造和銷售IGBT功率模塊，其主要用于電力機車和電動車組。IGBT功率模塊指封裝IGBT驅動、各種驅動保護電路、高性能IGBT和水冷裝置。IGBT是一種復合控制的電壓驅動電力半導體，由雙極型晶體管（BJT）及金屬氧化半導體場效應電晶體（MOSFET）的部件組成。IGBT具備MOSFET高輸入電阻及巨型晶體管（GTR，一種可承受高電壓及電流的BJT）低擊穿降壓的優點。GTR具備低保和降壓、高電荷密度、但大驅動電流的特點。MOSFET則具備低驅動力、高切換速度，但大擊穿降壓降壓及小電荷密度的特點。IGBT結合這兩個部件的優點。