SEMiX的優(yōu)勢
采用性價比更高、應用更靈活且穩(wěn)定安全的新一代IGBT Trench 4芯片技術(shù)。
驅(qū)動器采用彈簧連接，可實現(xiàn)控制單元的快速,無焊接裝配.
通過PCB老化測試和嚴格的沖擊和振動測試等力證產(chǎn)品的質(zhì)量與可性。
優(yōu)良特性：
SEMIX模塊的功率范圍包括了15KW到150KW，并涵蓋了從75A到600A的600V、1200V和1700V的半橋、六單元及斬波等拓撲結(jié)構(gòu)的IGBT模塊，另其封裝還集成了半控和不可控整流模塊。
新一代IGBT Trench 4芯片和續(xù)流二極管CAL4的最大結(jié)溫達175°C，擴大了嚴重過載時的溫度安全范圍。增大的功率密度也使SEMIX模塊的輸出電流提高了50%。
SEMIX系列獨有的彈簧連接技術(shù)突破了以往安裝控制單元時傳統(tǒng)低效的焊接連接，創(chuàng)新的無焊電氣連接使安裝過程得以快速實現(xiàn)，易于維護，并可大大降低雜散電感和避免噪聲的干擾。
SEMIX產(chǎn)品包括IGBT模塊和整流橋模塊，具有相同的封裝和高度（17mm）從而可實現(xiàn)平整的、緊湊的變頻器設(shè)計。
應用：綜合以上優(yōu)勢，SEMIX產(chǎn)品可以廣泛應用于大功率變頻器，太陽能逆變器等應用場合。比如變頻器設(shè)備，可以直接用SMEIX的整流模塊和逆變模塊完成設(shè)備的一體化安裝；考慮到SEMIX產(chǎn)品的封裝特性，方便于并聯(lián)使用，可用于大功率的太陽能逆變器設(shè)備（多個SEMIX逆變單元并聯(lián)實現(xiàn)）。且適用于所有涉及逆變電路的設(shè)備中。
http://www.sindopower.cn/zh/Products-And-Shop/IGBT-MOSFET-Modules-oxid/SEMiX402GAL066HDs.html
http://www.sindopower.cn/zh/Products-And-Shop/IGBT-MOSFET-Modules-oxid/SEMiX402GAL066HDs.html