SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過(guò)程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來(lái)新出現(xiàn)的晶圓制備方法。
將通過(guò)升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出，經(jīng)過(guò)多個(gè)加工工藝制成晶圓。圖1展示了晶圓制造的大致工藝流程。SiC單晶（也稱(chēng)為SiC boule），首先確認(rèn)其晶體方向，然后進(jìn)行外圓磨削，加工成圓柱形晶體（有時(shí)稱(chēng)為SiC puck）。用于功率器件的n型SiC晶圓，其圓柱形晶體的上下表面通常是偏角為4°的{0001}平面。接下來(lái)，形成一個(gè)定向邊或定向切口，用于指定晶片表面的晶體取向。在大口徑的SiC晶圓中，通常傾向于采用定向切口。
之后，將圓柱形的單晶SiC加工成薄片，多數(shù)情況下，采用多線(xiàn)切割法進(jìn)行切片。多線(xiàn)切割是在切割線(xiàn)與SiC晶體之間放入磨粒，按壓切割線(xiàn)的同時(shí)讓其移動(dòng)來(lái)進(jìn)行切割。切割后的SiC板由于存在厚度分布不均勻以及表面凹凸等問(wèn)題，需要進(jìn)行平整化處理。在平整化過(guò)程中，首先通過(guò)研磨去除微米級(jí)以上的凹凸。在該階段，由于磨粒的作用，表面上會(huì)留下細(xì)微的劃痕和凹凸。接下來(lái)，通過(guò)精加工拋光去除微米級(jí)以下的凹凸，使表面達(dá)到鏡面效果。與研磨相比，拋光使用的磨粒顆粒更小，并且在加工過(guò)程中會(huì)特別注意，避免在表面留下劃痕，同時(shí)也不會(huì)在內(nèi)部留下潛在的傷痕。
圖1：SiC晶圓加工工藝概要
（a）從坩堝中取出SiC晶錠；（b）外圓磨削；（c）形成定向邊或定向切口；（d）多線(xiàn)切割形成切片；（e）研磨、拋光
經(jīng)過(guò)拋光的晶圓外周通常會(huì)形成邊緣，在碰到物體時(shí)非常容易破裂。因此，需要對(duì)晶圓的外周進(jìn)行邊緣研磨，以避免出現(xiàn)銳角。圖2展示了磨邊前后的外周部的剖面形狀圖。此外，關(guān)于邊緣形狀，行業(yè)協(xié)會(huì)已制定了相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
圖2：晶圓邊緣在磨邊前后的剖面形狀圖
SiC是一種非常硬的材料，常被用作各種材料加工時(shí)的磨粒，因此將SiC晶棒加工成晶圓是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過(guò)程，仍在不斷嘗試改良中。
作為切片加工的新嘗試，有報(bào)道稱(chēng)有利用激光切片的方法。在這種技術(shù)中，激光束從圓柱形晶體的頂部照射，在SiC晶體內(nèi)所需的切片深度處聚焦形成改質(zhì)區(qū)，通過(guò)對(duì)整個(gè)表面進(jìn)行掃描將改質(zhì)區(qū)擴(kuò)展為平面，然后剝離出薄片。一般使用多線(xiàn)切割進(jìn)行切割時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不可忽略的切口損耗，同時(shí)由于切割線(xiàn)的波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致凹凸不平，因此研磨量也會(huì)增加，導(dǎo)致浪費(fèi)更多的晶體部分。相比之下，采用激光進(jìn)行切片的方法，可以減少切口損耗，同時(shí)還能縮短加工時(shí)間，因此被視為一種有前景的技術(shù)。
此外，作為切片加工的另一種方法，正嘗試在金屬絲與SiC晶體之間施加電壓，產(chǎn)生放電以進(jìn)行切割，從而減少切口損耗，這種方法被稱(chēng)為金屬絲放電切片加工。
作為一種與傳統(tǒng)SiC單晶制備晶圓不同的方法，已有研究報(bào)告提出在異質(zhì)襯底（支撐襯底）的表面上粘合SiC單晶薄膜來(lái)制備SiC晶圓。圖3展示了粘合和剝離過(guò)程的工藝流程示意圖。首先，氫離子等從SiC單晶的表面方向注入到剝離深度。在表面平坦的支撐襯底（多晶SiC等）上疊加SiC單晶的離子注入面，然后通過(guò)加壓和升溫將SiC單晶層轉(zhuǎn)移至支撐襯底上，然后剝離。此后，SiC單晶將進(jìn)行表面平坦化處理，并再次用于以上粘合過(guò)程。與SiC單晶相比，支撐襯底的成本較低，盡管目前仍有許多問(wèn)題有待解決，但為了降低晶圓成本，開(kāi)發(fā)仍在進(jìn)行中。
圖3：將單晶薄膜壓到支撐襯底上的SiC晶圓制作流程