根據外媒報道，三菱電機已經在其位于日本福山的工廠完成了第一條300mm晶圓產線的設備安裝調試，樣品生產和測試驗證了生產線上加工的功率半導體芯片達到了所需的性能水平。報道稱，三菱電機計劃于2025財年開始量產300mm 功率硅晶圓生產線。
目標是到2026財年將其硅功率半導體晶圓的加工能力提升至2021財年的一倍目前三菱電機最新的IGBT已經進入到了第七代，其推出的新型RC-IGBT芯片可以改善散熱，以減少熱阻,其損耗也比傳統的RC-IGBT降低了50%左右。
今年3月，三菱電機宣布，將在截至2026年3月的五年內將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約2600億日元，主要用于建設新的晶圓廠，以增加碳化硅功率半導體的生產。具體而言，三菱電機計劃在2026年4月開始稼動位于日本熊本縣菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圓的新工廠。
此外，還計劃對碳化硅6英寸晶圓工廠（位于日本熊本縣合志市）進行擴產，到2026年，碳化硅產能預計會擴大至現在的5倍左右。三菱電機半導體大中國區總經理赤田智史透露，預計到2030年，三菱電機SiC功率模塊營收占比將會提升到30%以上。在新的領域，三菱電機也在加速布局。
今年7月底，三菱電機宣布其已投資日本氧化鎵晶圓開發和銷售企業Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發高性能低損耗氧化鎵功率半導體，為實現低碳社會做出貢獻。Novel Crystal Technology是世界上最早開發、制造和銷售功率半導體用氧化鎵晶圓的公司之一，擁有三菱電機制造氧化鎵功率半導體產品所需的晶圓制造技術，是氧化鎵晶圓領域的領軍企業。