通過降低內部電感和搭載SiC芯片
為工業設備的高效率、小型化、輕量化做出貢獻
工業設備用NX封裝全SiC功率半導體模塊
三菱電機集團近日（2023年6月13日）宣布，將于6月14日開始提供工業設備用NX封裝全SiC功率半導體模塊的樣品。該模塊降低了內部電感，并集成了第二代SiC芯片，有望幫助實現更高效、更小型、更輕量的工業設備。
為降低全球社會范圍內的碳排放，功率半導體器件正越來越多地被用于高效電力變換場合。其中，對于能夠顯著降低功率損耗的SiC功率半導體的期望越來越高。大功率、高效率功率半導體能夠提高工業設備（逆變器等部件）的功率轉換效率，其需求正在不斷擴大。
三菱電機于2010年開始推出搭載SiC芯片的功率半導體模塊。此次，新模塊采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si IGBT模塊相比，內部雜散電感減少約47%*1，并顯著降低了功率損耗。
該SiC產品的開發得到了日本新能源·產業技術綜合開發機構(NEDO)的部分支持。
產 品 特 點
優化的內部結構并采用SiC芯片，有助于實現設備的高效率、小型化、輕量化
內部連接采用優化的疊層結構，實現了9nH的內部雜散電感，比現有IGBT模塊降低約47%；
通過降低內部雜散電感，抑制設備的浪涌電壓，實現高速開關的同時降低開關損耗；
采用 JFET摻雜技術*2的第二代SiC芯片具有低損耗特性，與現有Si IGBT模塊相比，功率損耗降低約72%*1，有助于提高設備效率；
低的功率損耗有助于減少熱量的產生，從而允許使用更小、重量更輕的散熱器。
兼容的NX型封裝，Si模塊和SiC模塊可以輕松替換
在搭載SiC芯片的同時，在外形尺寸和管腳配置等方面維持了NX型封裝的兼容性，便于輕松替換，有助于縮短新設備設計時間。
未 來 發 展
三菱電機將繼續擴大其功率半導體模塊產品線，進一步為工業設備的高效率、小型化、輕量化做出貢獻。
主 要 規 格
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型號 |
FMF600DXE-34BN |
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額定電壓 |
1700V |
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額定電流 |
600A |
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絕緣電壓 |
4000Vrms |
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拓撲 |
2in1 |
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尺寸（長×寬×高） |
62×152×17mm |
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樣品提供日 |
2023年6月14日 |
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環境標識 |
符合RoHS*3指令2011/65/EU和2015/863/EU |
*1：基于三菱電機確定的測量條件，與1700V/600A NX-type Si IGBT Module T-series (CM600DX-34T)對比得出
*2：JFET (Junction Field Effect Transistor)：結型場效應晶體管
*3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
關于三菱電機
三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業。在2022年《財富》世界500強排名中，位列351名。截止2022年3月31日的財年，集團營收44768億日元(約合美元332億)。作為一家技術主導型企業，三菱電機擁有多項專利技術，并憑借強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發和生產半導體已有60余年。其半導體產品更是在變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車、模擬/數字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。