通過降低內(nèi)部電感和搭載SiC芯片
為工業(yè)設(shè)備的高效率、小型化、輕量化做出貢獻
工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊
三菱電機集團近日（2023年6月13日）宣布，將于6月14日開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感，并集成了第二代SiC芯片，有望幫助實現(xiàn)更高效、更小型、更輕量的工業(yè)設(shè)備。
為降低全球社會范圍內(nèi)的碳排放，功率半導(dǎo)體器件正越來越多地被用于高效電力變換場合。其中，對于能夠顯著降低功率損耗的SiC功率半導(dǎo)體的期望越來越高。大功率、高效率功率半導(dǎo)體能夠提高工業(yè)設(shè)備（逆變器等部件）的功率轉(zhuǎn)換效率，其需求正在不斷擴大。
三菱電機于2010年開始推出搭載SiC芯片的功率半導(dǎo)體模塊。此次，新模塊采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si IGBT模塊相比，內(nèi)部雜散電感減少約47%*1，并顯著降低了功率損耗。
該SiC產(chǎn)品的開發(fā)得到了日本新能源·產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的部分支持。
產(chǎn) 品 特 點
優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并采用SiC芯片，有助于實現(xiàn)設(shè)備的高效率、小型化、輕量化
內(nèi)部連接采用優(yōu)化的疊層結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了9nH的內(nèi)部雜散電感，比現(xiàn)有IGBT模塊降低約47%；
通過降低內(nèi)部雜散電感，抑制設(shè)備的浪涌電壓，實現(xiàn)高速開關(guān)的同時降低開關(guān)損耗；
采用 JFET摻雜技術(shù)*2的第二代SiC芯片具有低損耗特性，與現(xiàn)有Si IGBT模塊相比，功率損耗降低約72%*1，有助于提高設(shè)備效率；
低的功率損耗有助于減少熱量的產(chǎn)生，從而允許使用更小、重量更輕的散熱器。
兼容的NX型封裝，Si模塊和SiC模塊可以輕松替換
在搭載SiC芯片的同時，在外形尺寸和管腳配置等方面維持了NX型封裝的兼容性，便于輕松替換，有助于縮短新設(shè)備設(shè)計時間。
未 來 發(fā) 展
三菱電機將繼續(xù)擴大其功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)品線，進一步為工業(yè)設(shè)備的高效率、小型化、輕量化做出貢獻。
主 要 規(guī) 格
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型號 |
FMF600DXE-34BN |
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額定電壓 |
1700V |
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額定電流 |
600A |
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絕緣電壓 |
4000Vrms |
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拓撲 |
2in1 |
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尺寸（長×寬×高） |
62×152×17mm |
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樣品提供日 |
2023年6月14日 |
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環(huán)境標(biāo)識 |
符合RoHS*3指令2011/65/EU和2015/863/EU |
*1：基于三菱電機確定的測量條件，與1700V/600A NX-type Si IGBT Module T-series (CM600DX-34T)對比得出
*2：JFET (Junction Field Effect Transistor)：結(jié)型場效應(yīng)晶體管
*3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
關(guān)于三菱電機
三菱電機創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。在2022年《財富》世界500強排名中，位列351名。截止2022年3月31日的財年，集團營收44768億日元(約合美元332億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機擁有多項專利技術(shù)，并憑借強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有60余年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。