支持數(shù)據(jù)中心800Gbps/1.6Tbps傳輸速率
200Gbps(112Gbaud PAM4) EML芯片外觀
112Gbaud PAM4 眼圖
(back-to-back, Vpp=1.2V)
三菱電機集團近日宣布其新開發(fā)出一款單波200Gbps(112Gbaud四電平脈沖幅度調(diào)制(PAM4))電吸收調(diào)制器激光二極管(EML)芯片。該款芯片采用了專有的混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計，使其傳輸速率比該公司現(xiàn)有的100Gbps EML芯片提升了一倍。同時，該芯片還支持四個波長的粗波分復(fù)用(CWDM)，達到了使用4顆芯片實現(xiàn)800Gbps傳輸速率，或8顆芯片實現(xiàn)1.6Tbps傳輸速率的應(yīng)用目標。
激光器性能的大幅提高將極大提升數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的光收發(fā)模塊傳輸速度，以應(yīng)對隨著視頻分發(fā)服務(wù)和云計算快速發(fā)展帶來的數(shù)據(jù)流量激增的需求。
三菱電機已于3月5日至9日在美國圣地亞哥舉辦的2023光通信展(OFC2023)上展示該最新芯片。
產(chǎn) 品 特 點
獨特的混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計，極大地提升了傳輸速度、消光比和光輸出功率等指標
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三菱電機獨特的混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，將高光輸出功率的掩埋型激光二極管和高階波導(dǎo)電吸收調(diào)制器相結(jié)合，幫助實現(xiàn)高達200Gbps的傳輸速率、高消光比和高輸出功率。
支持4個CWDM波長，幫助提高傳輸速度、減少光纖需求
新型芯片產(chǎn)品支持4個CWDM波長-1271、1291、1311和1331納米，類似于該公司現(xiàn)有的100Gbps產(chǎn)品，允許不同波長的光信號在單個光纖中復(fù)用，從而減少所需要的光纖數(shù)量。
一個收發(fā)器中的四顆芯片可以實現(xiàn)800Gbps傳輸，八顆芯片可以實現(xiàn)1.6Tbps傳輸。
800Gbps光收發(fā)器配置示例
主 要 規(guī) 格
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波長 |
1271, 1291, 1311, 1331 nm |
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工作溫度范圍 |
55℃ |
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比特率 |
200Gbps (112Gbaud PAM4) |
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光調(diào)制幅度 |
大于5 dBm |
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消光比 |
大于3.5dB |
后 續(xù) 計 劃
三菱電機計劃從2024年開始批量生產(chǎn)該芯片。同時還考慮將支持擴大到8個波長，以兼容更多的傳輸應(yīng)用。
環(huán) 境 意 識
本產(chǎn)品符合RoHS*1指令2011/65/EU和(EU)2015/863。
*1 Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment