支持數據中心800Gbps/1.6Tbps傳輸速率
200Gbps(112Gbaud PAM4) EML芯片外觀
112Gbaud PAM4 眼圖
(back-to-back, Vpp=1.2V)
三菱電機集團近日宣布其新開發出一款單波200Gbps(112Gbaud四電平脈沖幅度調制(PAM4))電吸收調制器激光二極管(EML)芯片。該款芯片采用了專有的混合波導結構設計，使其傳輸速率比該公司現有的100Gbps EML芯片提升了一倍。同時，該芯片還支持四個波長的粗波分復用(CWDM)，達到了使用4顆芯片實現800Gbps傳輸速率，或8顆芯片實現1.6Tbps傳輸速率的應用目標。
激光器性能的大幅提高將極大提升數據中心應用的光收發模塊傳輸速度，以應對隨著視頻分發服務和云計算快速發展帶來的數據流量激增的需求。
三菱電機已于3月5日至9日在美國圣地亞哥舉辦的2023光通信展(OFC2023)上展示該最新芯片。
產 品 特 點
獨特的混合波導結構設計，極大地提升了傳輸速度、消光比和光輸出功率等指標
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三菱電機獨特的混合波導結構，將高光輸出功率的掩埋型激光二極管和高階波導電吸收調制器相結合，幫助實現高達200Gbps的傳輸速率、高消光比和高輸出功率。
支持4個CWDM波長，幫助提高傳輸速度、減少光纖需求
新型芯片產品支持4個CWDM波長-1271、1291、1311和1331納米，類似于該公司現有的100Gbps產品，允許不同波長的光信號在單個光纖中復用，從而減少所需要的光纖數量。
一個收發器中的四顆芯片可以實現800Gbps傳輸，八顆芯片可以實現1.6Tbps傳輸。
800Gbps光收發器配置示例
主 要 規 格
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波長 |
1271, 1291, 1311, 1331 nm |
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工作溫度范圍 |
55℃ |
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比特率 |
200Gbps (112Gbaud PAM4) |
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光調制幅度 |
大于5 dBm |
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消光比 |
大于3.5dB |
后 續 計 劃
三菱電機計劃從2024年開始批量生產該芯片。同時還考慮將支持擴大到8個波長，以兼容更多的傳輸應用。
環 境 意 識
本產品符合RoHS*1指令2011/65/EU和(EU)2015/863。
*1 Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment