富士電機將在近期內決定生產規模，外界預估投資額將可達到數10億日圓，此產線利用二極管及碳化硅制作出功率半導體，并整合絕緣柵雙極晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor;IGBT），以模塊方式提供給工業用機器。
在此之前，富士電機已然與日本產業技術綜合研究所合作于該研究所的茨城事業所生產碳化硅功率半導體的試作品，今后透過自家公廠產線，富士電機計劃正式進行量產。
富士電機于2011年會計年度（2010年4月~2011年3月）對功率半導體的投資額高達185億日圓（約2.4億美元），約占該公司總投資額的一半。
碳化硅功率半導體為變頻器（Inverter）中一重要零組件，主要用于控制馬達轉速，近期以來因其省電效果而受到矚目。使用硅為原料的功率半導體因性能已然難以提升，故電力損失可減半的碳化硅功率半導體，可望于2015年成為市場主流。
根據野村證券金融經濟研究所的預估，功率半導體市場規模將在2013年，達到165億日圓，較2009年增加64%.盡管關于碳化硅功率半導體的市場預估仍然不多，但業界估計，碳化硅功率半導體市場將可在2019年達到8億美元規模，較2010年增加達30倍。
為因應未來市場需求，日本多家廠商已然陸續整頓生產體制，先有Rohm于2010年，后有三菱電機于2011年初量產碳化硅功率半導體。海外方面也有德國InfineonTechnologies、意法半導體（STMicroelectronics）等公司，投入碳化硅功率半導體市場。