賽米控將三電平逆變器拓撲結構集成在SEMITOP®功率模塊中，可用于高達20kHz開關頻率的場合。SEMITOP賽米控將三電平逆變器拓撲結構集成在SEMITOP®功率模塊中，可用于高達20kHz開關頻率的場合。
SEMITOP®功率模塊中，集成了最新一代的IGBT和二極管。新一代Trench3具有低開關損耗和通態損耗的優點，可以電能轉換效率最大化。使用三電平解決方案的主要優點是輸出波形接近正弦波，諧波分量少，輸出濾波器的尺寸可以減小（這意味著降低整體成本和尺寸），相對標準兩電平方案來說，總損耗得以最小化。
SiC（碳化硅）二極管具有高導熱性、高熱電流密度、減小芯片尺寸，因關斷期間振鈴減少而降低了EMI/RFI干擾，關斷過程中的拖尾電流減小、恢復時間減少，使得二極管的反向恢復能量減少，并且也不會因為開關損耗而導致溫升。我們把標準兩電平方案和標準三電平方案做了個比較，三電平逆變器的優勢在太陽能應用中也得到了驗證。三電平方案中集成了SiC二極管，降低了損耗，進一步提高了效率轉換。與標準三電平逆變器相比，用于三電平逆變器的帶SiC二極管的SEMITOP®，其DC/AC轉換效率要高出0.2％。
三電平逆變器解決方案中SiC二極管的集成提供了最大的效率。由于三電平方案損耗的減少，以及SiC二極管的高熱導率，散熱器的尺寸也減小了。由于諧波分量的減少和輸出波形的優化以及SiC二極管EMI干擾的減少，可以使用更小輸出濾波器。三電平逆變器為了實現最高的轉換效率，設計上采用了降低成本、重量和外形尺寸的方案。
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